De acordo com o acordo da TSMC, o nó do processo de 2 nm será o primeiro a utilizar transístores de efeito de campo Gate-All-Around (GAAFET). O processo de fabricação continua a basear-se na litografia de ultravioleta extremo (EUV) e está planejado para entrar na produção de grandes volumes em 2025. Os clientes podem esperar receber o primeiro lote de chips fabricados com o processo N2 em 2026.

De acordo com a Trendforce, a TSMC está instalando agressivamente a litografia EUV, que é crucial para processos avançados, para se preparar para a produção em massa do processo de 2nm. Este ano e no próximo, serão entregues mais de 60 máquinas de litografia EUV, com investimentos de capital superiores a NT$400 mil milhões (US$12,3 mil milhões/CNY 89,4 mil milhões).

À medida que a ASML continua a expandir a sua capacidade de produção, espera-se que as entregas de máquinas de litografia EUV cresçam mais de 30% em 2025, beneficiando a TSMC. No ano passado, a ASML planejou aumentar a produção para atender à demanda dos clientes, com significativas entregas de litografia EUV previstas - 53 unidades este ano, aumentando para mais de 72 unidades no próximo ano. A capacidade-alvo da ASML para 2025 inclui 90 máquinas de litografia EUV, 600 máquinas de litografia DUV e 20 máquinas de litografia EUV de alto nível.

O fornecimento de litografia EUV tem sido escasso, com prazos de entrega variando de 16 a 20 meses, e a maioria das encomendas de 2024 não será entregue antes de 2025. Há rumores de que a TSMC encomendou 30 máquinas de litografia EUV para 2024 e 35 para 2025. No entanto, esses números podem mudar ligeiramente, pois a TSMC pode ajustar seu programa de despesas de capital. Além disso, espera-se que a TSMC receba a mais recente máquina de litografia EUV High-NA em algum momento deste ano.