首页 对比 AMD Ryzen 9 7945HX3D vs Qualcomm Snapdragon X Plus

AMD Ryzen 9 7945HX3D vs Qualcomm Snapdragon X Plus

我们比较了两个笔记本版CPU:16核 2.3GHz AMD Ryzen 9 7945HX3D 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

AMD Ryzen 9 7945HX3D 的优势
更新的PCI Express 版本 (5 与 4.0)
更大的三级缓存 (128MB 与 42MB)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
发布时间晚9个月
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 5200)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 83.2GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 2.3GHz)
更先进的制程 (4nm 与 5nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 55W)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核
AMD Ryzen 9 7945HX3D +30%
1940
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 多核
AMD Ryzen 9 7945HX3D +179%
33329
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 单核
AMD Ryzen 9 7945HX3D +18%
2783
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 多核
AMD Ryzen 9 7945HX3D +23%
16080
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Blender
AMD Ryzen 9 7945HX3D +31%
475
Qualcomm Snapdragon X Plus
360
VS

基本参数

2023年07月
发行日期
2024年04月
AMD
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
-
指令集
ARMv9
Dragon Range
内核架构
Snapdragon X
-
处理器编号
X1P-64-100
AMD Socket FL1
插槽
Custom
Radeon 610M
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
Ryzen 9 (Zen 4 (Dragon Range))
世代
Oryon

封装

178.40 亿
晶体管数
-
5 nm
制程
4 nm
55 W
功耗
23 W
-
最大睿频功耗
80 W
89 °C
峰值工作温度
TSMC
晶圆厂
Samsung TSMC
2x71 mm²
晶圆尺寸
mm²
6 nm
I/O制程尺寸
-
122 mm²
I/O晶圆尺寸
-

CPU性能

-
性能核
10
-
性能核线程
10
2.3 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
5.4 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
16
总核心数
10
32
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
23.0
倍频
34x
64 KB per core
一级缓存
-
1 MB per core
二级缓存
-
128 MB shared
三级缓存
42 MB
非锁频
1
对称多处理
1

内存参数

DDR5-5200
内存类型
LPDDR5X-8448
64 GB
最大内存大小
64 GB
2
最大内存通道数
8
83.2 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
支持 ECC 内存

显卡参数

核显芯片
-
显卡基本频率
500 MHz
2200 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
-
着色器数量
1536
-
纹理单元
48
-
光栅处理单元
6
2
执行单元
6
-
功耗
0.49 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS

其他

5
PCIe版本
4.0
28
PCIe通道数

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