首页 对比 Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 vs AMD Ryzen 9 6900HX

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 vs AMD Ryzen 9 6900HX

我们比较了两个笔记本版CPU:12核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 与 8核 3.3GHz AMD Ryzen 9 6900HX 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 的优势
发布时间晚1年9个月
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 6400)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 76.8GB/s)
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 3.3GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 16MB)
更先进的制程 (4nm 与 6nm)
更低的TDP功耗 (23W 与 45W)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +6%
1707
AMD Ryzen 9 6900HX
1610
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
13257
AMD Ryzen 9 6900HX +6%
14096
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +33%
2790
AMD Ryzen 9 6900HX
2097
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +44%
14584
AMD Ryzen 9 6900HX
10086
Cinebench 2024 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +30%
937
AMD Ryzen 9 6900HX
719
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
3356
AMD Ryzen 9 6900HX +1%
3421
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
22810
AMD Ryzen 9 6900HX +7%
24494
VS

基本参数

2023年10月
发行日期
2022年01月
Qualcomm
厂商
AMD
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Rembrandt
X1E-80-100
处理器编号
-
Custom
插槽
FP7
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
Radeon 680M

封装

4 nm
制程
6 nm
23 W
功耗
45 W
-
峰值工作温度
95 °C

CPU性能

12
性能核
8
12
性能核线程
16
3.4 GHz
性能核基础频率
3.3 GHz
4.0 GHz
性能核睿频
4.9 GHz
12
总核心数
8
12
总线程数
16
-
总线频率
100 MHz
34x
倍频
33x
-
一级缓存
64 K per core
-
二级缓存
512 K per core
42 MB
三级缓存
16 MB shared
非锁频

内存参数

LPDDR5x-8448
内存类型
DDR5-4800, LPDDR5-6400
64 GB
最大内存大小
64 GB
8
最大内存通道数
2
135 GB/s
最大内存带宽
76.8 GB/s
支持 ECC 内存
-

显卡参数

核显芯片
500 MHz
显卡基本频率
2000 MHz
1200 MHz
显卡最大动态频率
2400 MHz
1536
着色器数量
768
48
纹理单元
48
6
光栅处理单元
32
6
执行单元
12
-
功耗
15 W
3.8 TFLOPS
显卡性能
3.686 TFLOPS

AI加速

Qualcomm Hexagon NPU
NPU
-
45 TOPS
理论性能
-

其他

4.0
PCIe版本
4.0
-
PCIe通道数
16

相关对比

© 2024 - TopCPU.net   联系我们 隐私政策