首页 对比 Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 vs Intel Core Ultra 9 288V

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 vs Intel Core Ultra 9 288V

我们比较了两个笔记本版CPU:12核 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 与 8核 3.3GHz Intel Core Ultra 9 288V 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 的优势
更强的显卡性能
更高的性能核基础频率 (3.8GHz 与 3.3GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 12MB)
更低的TDP功耗 (23W 与 37W)
Intel Core Ultra 9 288V 的优势
发布时间晚11个月
更高规格的内存(8533 与 8448)
更大的最大内存带宽 (136GB/s 与 135GB/s)
更新的PCI Express 版本 (5.0 与 4.0)
更先进的制程 (3nm 与 4nm)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100
1790
Intel Core Ultra 9 288V +22%
2189
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +1%
14761
Intel Core Ultra 9 288V
14502
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +5%
2879
Intel Core Ultra 9 288V
2728
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +27%
15200
Intel Core Ultra 9 288V
11891
Cinebench 2024 单核
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +3%
130
Intel Core Ultra 9 288V
126
VS

基本参数

2023年10月
发行日期
2024年09月
Qualcomm
厂商
Intel
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Lunar Lake
X1E-84-100
处理器编号
288V
Custom
插槽
FCBGA-2833
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
Arc Graphics 140V
-
世代
Ultra 9(Lunar Lake)

封装

4 nm
制程
3 nm
23 W
功耗
17 W
80 W
最大睿频功耗
-
-
峰值工作温度
100 °C
-
晶圆厂
TSMC

CPU性能

12
性能核
4
12
性能核线程
4
3.8 GHz
性能核基础频率
3.3 GHz
4.2 GHz
性能核睿频
5.1 GHz
-
能效核
4
-
能效核线程
4
-
能效核基础频率
3.3 GHz
-
能效核睿频
3.7 GHz
12
总核心数
8
12
总线程数
8
-
总线频率
100 MHz
38x
倍频
33
-
零级缓存
48 KB per core
-
一级缓存
192 KB per core
-
二级缓存
14 MB
42 MB
三级缓存
12 MB
非锁频
-
对称多处理
1

内存参数

LPDDR5x-8448
内存类型
LPDDR5X-8533
64 GB
最大内存大小
32 GB
8
最大内存通道数
2
135 GB/s
最大内存带宽
136 GB/s
支持 ECC 内存

显卡参数

核显芯片
500 MHz
显卡基本频率
600 MHz
1500 MHz
显卡最大动态频率
2050 MHz
1536
着色器数量
1024
48
纹理单元
6
光栅处理单元
6
执行单元
8
-
功耗
4.6 TFLOPS
显卡性能
4.2 TFLOPS

AI加速

Qualcomm Hexagon NPU
NPU
Intel® AI Boost
45 TOPS
理论性能
48 TOPS

其他

4.0
PCIe版本
5.0
-
PCIe通道数
8

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