首页 对比 Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Processor N200

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Processor N200

我们比较了两个笔记本版CPU:10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 与 4核 1.8GHz Intel Processor N200 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。

主要差异

Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
发布时间晚1年3个月
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 4800)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 38.4GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 与 3.0)
更大的三级缓存 (42MB 与 6MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
Intel Processor N200 的优势
更低的TDP功耗 (6W 与 23W)

评分

基准测试

Cinebench R23 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +61%
1488
Intel Processor N200
924
Cinebench R23 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus +299%
11931
Intel Processor N200
2988
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +85%
2347
Intel Processor N200
1262
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus +380%
12973
Intel Processor N200
2701
Passmark CPU 单核
Qualcomm Snapdragon X Plus +51%
3208
Intel Processor N200
2120
Passmark CPU 多核
Qualcomm Snapdragon X Plus +282%
21685
Intel Processor N200
5669
VS

基本参数

2024年04月
发行日期
2023年01月
Qualcomm
厂商
Intel
笔记本
类型
笔记本
ARMv9
指令集
x86-64
Snapdragon X
内核架构
Alder Lake
X1P-64-100
处理器编号
N200
Custom
插槽
BGA-1264
Qualcomm Adreno X1
核芯显卡
UHD Graphics (32 EU)
Oryon
世代
-

封装

4 nm
制程
10 nm
23 W
功耗
6 W
80 W
最大睿频功耗
-
峰值工作温度
105°C
Samsung TSMC
晶圆厂
-
mm²
晶圆尺寸
-

CPU性能

10
性能核
-
10
性能核线程
-
3.4 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
性能核睿频
-
-
能效核
4
-
能效核线程
4
-
能效核基础频率
1.8 GHz
-
能效核睿频
3.7 GHz
10
总核心数
4
10
总线程数
4
100 MHz
总线频率
100 MHz
34x
倍频
37x
-
一级缓存
96 K per core
-
二级缓存
2 MB shared
42 MB
三级缓存
6 MB shared
非锁频
1
对称多处理
-

内存参数

LPDDR5X-8448
内存类型
DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-4800
64 GB
最大内存大小
16 GB
8
最大内存通道数
1
135 GB/s
最大内存带宽
38.4 GB/s
支持 ECC 内存

显卡参数

核显芯片
500 MHz
显卡基本频率
300 MHz
1200 MHz
显卡最大动态频率
750 MHz
1536
着色器数量
256
48
纹理单元
16
6
光栅处理单元
8
6
执行单元
32
功耗
45 W
3.8 TFLOPS
显卡性能
0.74 TFLOPS

其他

4.0
PCIe版本
3.0
PCIe通道数
9

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