Startseite CPU-Vergleich Intel Core i5 13500HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i5 13500HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 14 Kerne 2.5GHz Intel Core i5 13500HX und 10 Kerne 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.

Hauptunterschiede

Intel Core i5 13500HX Vorteile
Neuere PCIe-Version (5.0 gegenüber 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus Vorteile
1 Jahre und 3 Monate später veröffentlicht
Höhere Grafikleistung
Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 4800
Größere Speicherbandbreite (135GB/s gegenüber 76.8GB/s)
Höhere Basistaktung (3.4GHz gegenüber 2.5GHz)
Größerer L3-Cache (42MB gegenüber 24MB)
Modernere Fertigungsprozesse (4nm gegenüber 10nm)
Niedriger TDP (23W gegenüber 55W)

Bewertung

Benchmark

Cinebench R23 Einzelkern
Intel Core i5 13500HX +20%
1794
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 Mehrkern
Intel Core i5 13500HX +53%
18345
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 Single-Core
Intel Core i5 13500HX
2344
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 Multi-Core
Intel Core i5 13500HX
12886
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core i5 13500HX
104
Qualcomm Snapdragon X Plus +4%
109
Cinebench 2024 Multi Core
Intel Core i5 13500HX +3%
872
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Blender
Intel Core i5 13500HX
246
Qualcomm Snapdragon X Plus +46%
360
Passmark CPU Einzelkern
Intel Core i5 13500HX +11%
3583
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU Mehrkern
Intel Core i5 13500HX +31%
28608
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
VS

Grundlegende Parameter

Jan 2023
Veröffentlichungsdatum
Apr 2024
Intel
Hersteller
Qualcomm
Notebook
Typ
Notebook
x86-64
Befehlssatz
ARMv9
Raptor Lake
Kernarchitektur
Snapdragon X
i5-13500HX
Prozessornummer
X1P-64-100
BGA-1964
Sockel
Custom
UHD Graphics (16EU)
Integrierte GPU
Qualcomm Adreno X1
-
Generation
Oryon

Package

10 nm
Herstellungsprozess
4 nm
45-55 W
Thermal Design Power (TDP)
23 W
157 W
Maximale Boost-TDP
80 W
100°C
Maximale Betriebstemperatur
-
Schmelzerei
Samsung TSMC
-
Die-Größe
mm²

CPU-Leistung

6
Performance-Kerne
10
12
Performance-Kern-Threads
10
2.5 GHz
Performance-Kern-Basistaktung
3.4 GHz
4.7 GHz
Performance-Kern-Turbotaktung
3.4 GHz
8
Energieeffiziente Kerne
-
8
Energieeffiziente Kerne Threads
-
1.8 GHz
Energieeffiziente Basistaktfrequenz
-
3.5 GHz
Energieeffiziente Turbo-Boost-Taktfrequenz
-
14
Gesamtzahl der Kerne
10
20
Gesamtzahl der Threads
10
100 MHz
Bus-Frequenz
100 MHz
25x
Multiplikator
34x
80 K per core
L1-Cache
-
2 MB per core
L2-Cache
-
24 MB shared
L3-Cache
42 MB
Yes
Freigeschalteter Multiplikator
No
-
SMP
1

Speicherparameter

DDR5-4800, DDR4-3200
Speichertypen
LPDDR5X-8448
192 GB
Maximale Speichergröße
64 GB
2
Maximale Anzahl an Speicherkanälen
8
76.8 GB/s
Maximale Speicherbandbreite
135 GB/s
Yes
ECC-Unterstützung
No

GPU-Parameter

true
Integrierte Grafik
true
350 MHz
GPU-Basistaktung
500 MHz
1500 MHz
Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU
1200 MHz
128
Shader-Einheiten
1536
16
Textur-Mapping-Einheiten
48
8
Raster Operations Pipelines
6
16
Ausführungseinheiten
6
15 W
Leistungsaufnahme
0.382 TFLOPS
GPU-Leistung
3.8 TFLOPS

Sonstiges

5.0
PCIe-Version
4.0
20
PCIe-Lanes

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