NVIDIA GeForce GTS 240 OEM vs ATI Radeon HD 4750

VS

NVIDIA GeForce GTS 240 OEM

ATI Radeon HD 4750

Wir vergleichen zwei Desktop Plattform GPUs: GeForce GTS 240 OEM mit 1024MB VRAM und Radeon HD 4750 mit 512MB VRAM . Sie erfahren, welche GPU in wichtigen Spezifikationen, Benchmark-Tests, Stromverbrauch und mehr die bessere Leistung bietet.

Hauptunterschiede

NVIDIA GeForce GTS 240 OEM Vorteil von

Mehr VRAM (1024GB gegenüber 512GB)

Höhere VRAM-Bandbreite (70.40GB/s gegenüber 51.20GB/s)

ATI Radeon HD 4750 Vorteil von

528 zusätzliche Render-Kerne

Geringerer TDP (100W gegenüber 120W)

Punktzahl

Benchmark

FP32 Gleitkomma-Performance

GeForce GTS 240 OEM

0.363 TFLOPS

Radeon HD 4750 +157%

0.934 TFLOPS

GeForce GTS 240 OEM

VS

Radeon HD 4750

Grafikkarte

Jul 2009

Veröffentlichungsdatum

Sep 2009

GeForce 200

Generation

Radeon R700

Desktop

Typ

Desktop

PCIe 2.0 x16

Bus-Schnittstelle

PCIe 2.0 x16

Taktraten

-

1100 MHz

Speichertakt

800 MHz

Speicher

1024MB

Speichergröße

512MB

GDDR3

Speichertyp

GDDR5

256bit

Speicherbus

128bit

70.40GB/s

Bandbreite

51.20GB/s

Render-Konfiguration

-

Einheiten berechnen

8

14

SM-Anzahl

-

112

Shading-Einheiten

640

56

TMUs

32

16

ROPs

16

-

L1-Cache

16 KB (per CU)

64 KB

L2-Cache

128 KB

-

Theoretische Leistung

10.80 GPixel/s

Pixeltakt

11.68 GPixel/s

37.80 GTexel/s

Texture-Takt

23.36 GTexel/s

-

362.9 GFLOPS

FP32 (Gleitkommazahl)

934.4 GFLOPS

-

FP64 (Doppelte Gleitkommazahl)

186.9 GFLOPS

Board-Design

120W

TDP (Thermal Design Power)

100W

300 W

Empfohlene PSU (Stromversorgung)

300 W

2x DVI 1x S-Video

Ausgänge

2x DVI 1x S-Video

1x 6-pin

Stromanschlüsse

1x 6-pin

Grafikprozessor

G92B

GPU-Name

RV740

G92-240-B1

GPU-Variante

RV740 PRO

Tesla

Architektur

TeraScale

TSMC

Foundry

TSMC

55 nm

Prozessgröße

40 nm

754 million

Transistoren

826 million

260 mm²

Die-Größe

137 mm²

Grafikfunktionen

11.1 (10_0)

DirectX

10.1 (10_1)

3.3

OpenGL

3.3

1.1

OpenCL

1.1

N/A

Vulkan

N/A

1.1

CUDA

-

4.0

Shader-Modell

4.1