Startseite GPU-Vergleich AMD Radeon Instinct MI100 vs NVIDIA Jetson Orin Nano 4 GB

AMD Radeon Instinct MI100 vs NVIDIA Jetson Orin Nano 4 GB

Wir vergleichen zwei Professioneller Markt GPUs: Radeon Instinct MI100 mit 32GB VRAM und Jetson Orin Nano 4 GB mit 4GB VRAM . Sie erfahren, welche GPU in wichtigen Spezifikationen, Benchmark-Tests, Stromverbrauch und mehr die bessere Leistung bietet.

Hauptunterschiede

AMD Radeon Instinct MI100 Vorteil von
@if(System.Math.Min(Model.v1,Model.v2) > 0){ @($"{Model.title} wurde um { System.Math.Round( System.Math.Abs(Model.v1-Model.v2)*100 /System.Math.Min(Model.v1,Model.v2)) }% erhöht ({Model.v1}MHz gegenüber {Model.v2}MHz)" ) }else{ @($"{Model.title} {System.Math.Max(Model.v1,Model.v2)}MHz " ) }
Mehr VRAM (32GB gegenüber 4GB)
Höhere VRAM-Bandbreite (1229GB/s gegenüber 34.14GB/s)
7168 zusätzliche Render-Kerne
NVIDIA Jetson Orin Nano 4 GB Vorteil von
2 Jahre und 4 Monate später veröffentlicht
Geringerer TDP (10W gegenüber 300W)

Punktzahl

Benchmark

FP32 Gleitkomma-Performance
Radeon Instinct MI100 +3504%
23.07 TFLOPS
Jetson Orin Nano 4 GB
0.64 TFLOPS
VS

Grafikkarte

Nov 2020
Veröffentlichungsdatum
Mär 2023
Radeon Instinct
Generation
Tegra
Professionelle
Typ
Professionelle
PCIe 4.0 x16
Bus-Schnittstelle
PCIe 4.0 x4

Taktraten

1000 MHz
Basis-Takt
-
1502 MHz
Boost-Takt
-
1200 MHz
Speichertakt
1067 MHz

Speicher

32GB
Speichergröße
4GB
HBM2
Speichertyp
LPDDR5
4096bit
Speicherbus
64bit
1229GB/s
Bandbreite
34.14GB/s

Render-Konfiguration

-
SM-Anzahl
4
120
Einheiten berechnen
-
7680
Shading-Einheiten
512
480
TMUs
16
64
ROPs
8
-
Tensor-Kerne
16
-
RT-Kerne
-
16 KB (per CU)
L1-Cache
128 KB (per SM)
8 MB
L2-Cache
256 KB

Theoretische Leistung

96.13 GPixel/s
Pixeltakt
5.000 GPixel/s
721.0 GTexel/s
Texture-Takt
10.00 GTexel/s
184.6 TFLOPS
FP16 (halbe Genauigkeit)
1280 GFLOPS
23.07 TFLOPS
FP32 (Gleitkommazahl)
640.0 GFLOPS
11.54 TFLOPS
FP64 (Doppelte Gleitkommazahl)
320.0 GFLOPS

Grafikprozessor

Arcturus
GPU-Name
GA10B
Arcturus XL
GPU-Variante
-
CDNA 1.0
Architektur
Ampere
TSMC
Foundry
Samsung
7 nm
Prozessgröße
8 nm
25600 million
Transistoren
Unbekannt
750 mm²
Die-Größe
Unbekannt

Board-Design

300W
TDP (Thermal Design Power)
10W
700 W
Empfohlene PSU (Stromversorgung)
-
No outputs
Ausgänge
Portable Device Dependent
2x 8-pin
Stromanschlüsse
-

Grafikfunktionen

N/A
DirectX
12 Ultimate (12_2)
N/A
OpenGL
4.6
2.1
OpenCL
3.0
N/A
Vulkan
1.3
-
CUDA
8.6
N/A
Shader-Modell
6.7

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