Apple M1 Max vs Qualcomm Snapdragon X Plus

VS

Apple M1 Max

Qualcomm Snapdragon X Plus

Hemos comparado dos CPU portátil 10 núcleos 2.0GHz Apple M1 Max con 10 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Apple M1 Max Ventajas de

Mejor rendimiento de tarjeta gráfica

Ancho de banda de memoria mayor (409.6GB/s vs 135GB/s)

Qualcomm Snapdragon X Plus Ventajas de

Lanzado 1 años y 11 meses tarde

Mayor especificación de memoria (8448 frente a 6400)

Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 2.0GHz)

Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 5nm)

Menor TDP (23W vs 30W)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único

Apple M1 Max +3%

1545

Qualcomm Snapdragon X Plus

1488

Cinebench R23 Multi Core

Apple M1 Max +4%

12440

Qualcomm Snapdragon X Plus

11931

Geekbench 6 Núcleo Individual

Apple M1 Max +2%

2410

Qualcomm Snapdragon X Plus

2347

Geekbench 6 Multi Core

Apple M1 Max

12480

Qualcomm Snapdragon X Plus +3%

12973

Cinebench 2024 Single-Core

Apple M1 Max +4%

114

Qualcomm Snapdragon X Plus

109

Cinebench 2024 Multi Core

Apple M1 Max

793

Qualcomm Snapdragon X Plus +6%

845

Blender

Apple M1 Max

212

Qualcomm Snapdragon X Plus +69%

360

Passmark CPU Núcleo único

Apple M1 Max +19%

3833

Qualcomm Snapdragon X Plus

3208

Passmark CPU Multi Core

Apple M1 Max +2%

22121

Qualcomm Snapdragon X Plus

21685

Apple M1 Max

VS

Qualcomm Snapdragon X Plus

Parámetros generales

may 2022

Fecha lanzamiento

abr 2024

Apple

Fabricante

Qualcomm

Portátil

Tipo

Portátil

ARMv8

Conjunto instrucciones

ARMv9

-

Arquitectura núcleo

Snapdragon X

-

Núm. procesador

X1P-64-100

Apple M-Socket

Zócalo

Custom

No

Gráficos integrados

No

-

Generación

Oryon

Paquete

57 billions

Transistores

-

5 nm

Proceso Fabricación

4 nm

30 W

Consumo Energía

23 W

-

Máx. Consumo Turbo

80 W

-

Temp. Máxima

-

Fundición

Samsung TSMC

-

Tamaño del Die

mm²

Rendimiento CPU

10

Núcleos de rendimiento

10

Núcleos Rendimiento

10

2.0 GHz

Frec. Base Rendimiento

3.4 GHz

3.2 GHz

Frec. Turbo Rendimiento

3.4 GHz

10

Total Núcleos

10

Total Hilos

10

-

Frec. Bus

100 MHz

-

Multiplicador

34x

192 K per core

Caché L1

-

24 MB shared

Caché L2

-

Caché L3

42 MB

No

Multip. Desbloqueado

No

-

SMP

1

Parámetros memoria

LPDDR5-6400

Tipos de memoria

LPDDR5X-8448

64 GB

Tamaño máx. memoria

64 GB

8

Canales máx. memoria

8

409.6 GB/s

Ancho de banda máx.

135 GB/s

No

Soporte memoria ECC

No

Parámetros tarjeta gráfica

true

Gráficos integrados

true

450 MHz

Frecuencia base GPU

500 MHz

1296 MHz

Frecuencia máx. dinámica GPU

1200 MHz

4096

Unidades shader

1536

256

Unidades de textura

48

128

Unidades ROP

6

-

Unidades de ejecución

6

60 W

Consumo de energía

6016x3384 - 60 Hz

Resolución máx.

-

10.4 TFLOPS

Rendimiento gráfico

3.8 TFLOPS

Varios

-

Sitio oficial

Qualcomm Snapdragon X Plus

-

Versión PCIe

4.0

-

Carriles PCIe

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