Inicio Comparación Intel Core i7 1060NG7 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i7 1060NG7 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i7 1060NG7
VS
Qualcomm Snapdragon X Plus
Intel Core i7 1060NG7
Qualcomm Snapdragon X Plus
Hemos comparado dos CPU portátil 4 núcleos 1.2GHz Intel Core i7 1060NG7 con 10 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Intel Core i7 1060NG7 Ventajas de
Menor TDP (10W vs 23W)
Qualcomm Snapdragon X Plus Ventajas de
Lanzado 4 años y 1 meses tarde
Mayor especificación de memoria (8448 frente a 3733)
Ancho de banda de memoria mayor (135GB/s vs 58.3GB/s)
Nueva versión de PCIe (4.0 vs 3.0)
Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 1.2GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 8MB)
Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 10nm)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Intel Core i7 1060NG7
1116
Qualcomm Snapdragon X Plus +33%
1488
Cinebench R23 Multi Core
Intel Core i7 1060NG7
4326
Qualcomm Snapdragon X Plus +175%
11931
Geekbench 6 Núcleo Individual
Intel Core i7 1060NG7
725
Qualcomm Snapdragon X Plus +223%
2347
Geekbench 6 Multi Core
Intel Core i7 1060NG7
1510
Qualcomm Snapdragon X Plus +759%
12973
Blender
Intel Core i7 1060NG7
40
Qualcomm Snapdragon X Plus +800%
360
Passmark CPU Núcleo único
Intel Core i7 1060NG7
1905
Qualcomm Snapdragon X Plus +68%
3208
Passmark CPU Multi Core
Intel Core i7 1060NG7
6880
Qualcomm Snapdragon X Plus +215%
21685
Intel Core i7 1060NG7
VS
Qualcomm Snapdragon X Plus

Parámetros generales

mar 2020
Fecha lanzamiento
abr 2024
Intel
Fabricante
Qualcomm
Portátil
Tipo
Portátil
x86-64
Conjunto instrucciones
ARMv9
Ice Lake Y
Arquitectura núcleo
Snapdragon X
i7-1060NG7
Núm. procesador
X1P-64-100
BGA-1526
Zócalo
Custom
No
Gráficos integrados
No
-
Generación
Oryon

Paquete

10 nm
Proceso Fabricación
4 nm
10 W
Consumo Energía
23 W
-
Máx. Consumo Turbo
80 W
100 °C
Temp. Máxima
-
Fundición
Samsung TSMC
-
Tamaño del Die
mm²

Rendimiento CPU

4
Núcleos de rendimiento
10
8
Núcleos Rendimiento
10
1.2 GHz
Frec. Base Rendimiento
3.4 GHz
3.8 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
3.4 GHz
4
Total Núcleos
10
8
Total Hilos
10
100 MHz
Frec. Bus
100 MHz
12x
Multiplicador
34x
32 K per core
Caché L1
-
512 K per core
Caché L2
-
8 MB shared
Caché L3
42 MB
No
Multip. Desbloqueado
No
-
SMP
1

Parámetros memoria

LPDDR4-3733
Tipos de memoria
LPDDR5X-8448
32 GB
Tamaño máx. memoria
64 GB
2
Canales máx. memoria
8
58.3 GB/s
Ancho de banda máx.
135 GB/s
No
Soporte memoria ECC
No

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
300 MHz
Frecuencia base GPU
500 MHz
1100 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
1200 MHz
512
Unidades shader
1536
64
Unidades de textura
48
8
Unidades ROP
6
-
Unidades de ejecución
6
15 W
Consumo de energía
5120x3200 - 60 Hz
Resolución máx.
-
-
Rendimiento gráfico
3.8 TFLOPS

Varios

Intel Core i7 1060NG7
Sitio oficial
Qualcomm Snapdragon X Plus
3.0
Versión PCIe
4.0
16
Carriles PCIe

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