Intel Core i7 13850HX vs Qualcomm Snapdragon X Elite

VS

Intel Core i7 13850HX

Qualcomm Snapdragon X Elite

Hemos comparado dos CPU portátil 20 núcleos 2.1GHz Intel Core i7 13850HX con 12 núcleos 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Intel Core i7 13850HX Ventajas de

Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)

Menor TDP (55W vs 65W)

Qualcomm Snapdragon X Elite Ventajas de

Lanzado 9 meses tarde

Mejor rendimiento de tarjeta gráfica

Mayor especificación de memoria (8448 frente a 5600)

Ancho de banda de memoria mayor (135GB/s vs 89.6GB/s)

Frecuencia base más alta (3.8GHz vs 2.1GHz)

Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 30MB)

Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 10nm)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único

Intel Core i7 13850HX +20%

2024

Qualcomm Snapdragon X Elite

1673

Cinebench R23 Multi Core

Intel Core i7 13850HX +77%

25815

Qualcomm Snapdragon X Elite

14548

Geekbench 6 Núcleo Individual

Intel Core i7 13850HX

2033

Qualcomm Snapdragon X Elite +46%

2980

Geekbench 6 Multi Core

Intel Core i7 13850HX

8807

Qualcomm Snapdragon X Elite +72%

15226

Cinebench 2024 Single-Core

Intel Core i7 13850HX

112

Qualcomm Snapdragon X Elite +18%

133

Cinebench 2024 Multi Core

Intel Core i7 13850HX +3%

1265

Qualcomm Snapdragon X Elite

1220

Blender

Intel Core i7 13850HX

292

Qualcomm Snapdragon X Elite +60%

470

Intel Core i7 13850HX

VS

Qualcomm Snapdragon X Elite

Parámetros generales

ene 2023

Fecha lanzamiento

oct 2023

Intel

Fabricante

Qualcomm

Portátil

Tipo

Portátil

x86-64

Conjunto instrucciones

Arm-64

Raptor Lake

Arquitectura núcleo

Oryon

i7-13850HX

Núm. procesador

Snapdragon X Elite

BGA-1964

Zócalo

No

Gráficos integrados

No

-

Generación

Oryon

Paquete

10 nm

Proceso Fabricación

4 nm

45 W

Consumo Energía

23 W

157 W

Máx. Consumo Turbo

80 W

100°C

Temp. Máxima

-

Fundición

Samsung TSMC

-

Tamaño del Die

mm²

Rendimiento CPU

8

Núcleos de rendimiento

12

16

Núcleos Rendimiento

12

2.1 GHz

Frec. Base Rendimiento

3.8 GHz

5.3 GHz

Frec. Turbo Rendimiento

4.3 GHz

12

Núcleos Eficientes

-

12

Hilos Eficientes

-

1.5 GHz

Frec. Base Eficiente

-

3.8 GHz

Frec. Turbo Eficiente

-

20

Total Núcleos

12

28

Total Hilos

12

100 MHz

Frec. Bus

100 MHz

21x

Multiplicador

80 K per core

Caché L1

-

2 MB per core

Caché L2

-

30 MB per core

Caché L3

42 MB

Sí

Multip. Desbloqueado

No

-

SMP

1

Parámetros memoria

DDR5-5600, DDR4-3200

Tipos de memoria

LPDDR5x-8448

128 GB

Tamaño máx. memoria

64 GB

2

Canales máx. memoria

2

89.6 GB/s

Ancho de banda máx.

135 GB/s

Sí

Soporte memoria ECC

No

Parámetros tarjeta gráfica

true

Gráficos integrados

true

300 MHz

Frecuencia base GPU

1600 MHz

Frecuencia máx. dinámica GPU

256

Unidades shader

16

Unidades de textura

8

Unidades ROP

32

Unidades de ejecución

45 W

Consumo de energía

0.74 TFLOPS

Rendimiento gráfico

4.6 TFLOPS

Varios

Intel Core i7 13850HX

Sitio oficial

Qualcomm Snapdragon X Elite

5.0

Versión PCIe

4.0

20

Carriles PCIe

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