Inicio Comparación Intel Core Ultra 5 238V vs Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100

Intel Core Ultra 5 238V vs Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100

Intel Core Ultra 5 238V
VS
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
Intel Core Ultra 5 238V
Qualcomm Snapdragon X Elite (X1E-80-100)
Hemos comparado dos CPU portátil 8 núcleos 2.1GHz Intel Core Ultra 5 238V con 12 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Intel Core Ultra 5 238V Ventajas de
Lanzado 11 meses tarde
Mayor especificación de memoria (8533 frente a 8448)
Ancho de banda de memoria mayor (136GB/s vs 135GB/s)
Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)
Proceso de fabricación más moderno (3nm vs 4nm)
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 Ventajas de
Mejor rendimiento de tarjeta gráfica
Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 2.1GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 8MB)
Menor TDP (23W vs 37W)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Intel Core Ultra 5 238V +15%
1977
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
1707
Cinebench R23 Multi Core
Intel Core Ultra 5 238V
11635
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +13%
13257
Geekbench 6 Núcleo Individual
Intel Core Ultra 5 238V
2684
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +3%
2790
Geekbench 6 Multi Core
Intel Core Ultra 5 238V
10130
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +43%
14584
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core Ultra 5 238V
118
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 +5%
124
Intel Core Ultra 5 238V
VS
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100

Parámetros generales

sept 2024
Fecha lanzamiento
oct 2023
Intel
Fabricante
Qualcomm
Portátil
Tipo
Portátil
x86-64
Conjunto instrucciones
ARMv9
Lunar Lake
Arquitectura núcleo
Snapdragon X
238V
Núm. procesador
X1E-80-100
FCBGA-2833
Zócalo
Custom
No
Gráficos integrados
No
Ultra 5 (Lunar Lake)
Generación
-

Paquete

3 nm
Proceso Fabricación
4 nm
17 W
Consumo Energía
23 W
100 °C
Temp. Máxima
-
TSMC
Fundición
-

Rendimiento CPU

4
Núcleos de rendimiento
12
4
Núcleos Rendimiento
12
2.1 GHz
Frec. Base Rendimiento
3.4 GHz
4.7 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
4.0 GHz
4
Núcleos Eficientes
-
4
Hilos Eficientes
-
2.1 GHz
Frec. Base Eficiente
-
3.5 GHz
Frec. Turbo Eficiente
-
8
Total Núcleos
12
8
Total Hilos
12
100 MHz
Frec. Bus
-
21x
Multiplicador
34x
48 KB per core
Caché L0
-
192 KB per core
Caché L1
-
14 MB
Caché L2
-
8 MB
Caché L3
42 MB
No
Multip. Desbloqueado
No
1
SMP
-

Parámetros memoria

LPDDR5X-8533
Tipos de memoria
LPDDR5x-8448
16 GB
Tamaño máx. memoria
64 GB
2
Canales máx. memoria
8
136 GB/s
Ancho de banda máx.
135 GB/s
No
Soporte memoria ECC
No

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
600 MHz
Frecuencia base GPU
500 MHz
1850 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
1200 MHz
896
Unidades shader
1536
Unidades de textura
48
Unidades ROP
6
7
Unidades de ejecución
6
Consumo de energía
-
3.32 TFLOPS
Rendimiento gráfico
3.8 TFLOPS

Acelerador de IA

Intel® AI Boost
NPU
Qualcomm Hexagon NPU
40 TOPS
Rendimiento teórico
45 TOPS

Varios

Intel Core Ultra 5 238V
Sitio oficial
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
5.0
Versión PCIe
4.0
8
Carriles PCIe
-

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