Inicio Comparación Intel Core Ultra 7 256V vs Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100

Intel Core Ultra 7 256V vs Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100

Intel Core Ultra 7 256V
VS
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100
Intel Core Ultra 7 256V
Qualcomm Snapdragon X Elite (X1E-78-100)
Hemos comparado dos CPU portátil 8 núcleos 2.2GHz Intel Core Ultra 7 256V con 12 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Intel Core Ultra 7 256V Ventajas de
Lanzado 11 meses tarde
Mejor rendimiento de tarjeta gráfica
Mayor especificación de memoria (8533 frente a 8448)
Ancho de banda de memoria mayor (136GB/s vs 135GB/s)
Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)
Proceso de fabricación más moderno (3nm vs 4nm)
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100 Ventajas de
Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 2.2GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 12MB)
Menor TDP (35W vs 37W)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Intel Core Ultra 7 256V +31%
1995
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100
1515
Cinebench R23 Multi Core
Intel Core Ultra 7 256V
12145
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100
12107
Geekbench 6 Núcleo Individual
Intel Core Ultra 7 256V +11%
2607
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100
2347
Geekbench 6 Multi Core
Intel Core Ultra 7 256V
10506
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100 +26%
13296
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core Ultra 7 256V +11%
120
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100
108
Intel Core Ultra 7 256V
VS
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100

Parámetros generales

sept 2024
Fecha lanzamiento
oct 2023
Intel
Fabricante
Qualcomm
Portátil
Tipo
Portátil
x86-64
Conjunto instrucciones
ARMv8
Lunar Lake
Arquitectura núcleo
Snapdragon X
256V
Núm. procesador
X1E-78-100
FCBGA-2833
Zócalo
Custom
No
Gráficos integrados
No
Ultra 7 (Lunar Lake)
Generación
-

Paquete

3 nm
Proceso Fabricación
4 nm
17 W
Consumo Energía
35 W
-
Máx. Consumo Turbo
45 W
100 °C
Temp. Máxima
-
TSMC
Fundición
-

Rendimiento CPU

4
Núcleos de rendimiento
12
4
Núcleos Rendimiento
12
2.2 GHz
Frec. Base Rendimiento
3.4 GHz
4.8 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
-
4
Núcleos Eficientes
-
4
Hilos Eficientes
-
2.2 GHz
Frec. Base Eficiente
-
3.7 GHz
Frec. Turbo Eficiente
-
8
Total Núcleos
12
8
Total Hilos
12
100 MHz
Frec. Bus
-
22x
Multiplicador
34x
48 KB per core
Caché L0
-
192 KB per core
Caché L1
-
14 MB
Caché L2
-
12 MB
Caché L3
42 MB
No
Multip. Desbloqueado
No
1
SMP
-

Parámetros memoria

LPDDR5X-8533
Tipos de memoria
LPDDR5x-8448
16 GB
Tamaño máx. memoria
64 GB
2
Canales máx. memoria
8
136 GB/s
Ancho de banda máx.
135 GB/s
No
Soporte memoria ECC
No

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
600 MHz
Frecuencia base GPU
500 MHz
1950 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
1200 MHz
1024
Unidades shader
1536
Unidades de textura
48
Unidades ROP
6
8
Unidades de ejecución
6
Consumo de energía
-
3.99 TFLOPS
Rendimiento gráfico
3.8 TFLOPS

Acelerador de IA

Intel® AI Boost
NPU
Qualcomm Hexagon NPU
47 TOPS
Rendimiento teórico
45 TOPS

Varios

Intel Core Ultra 7 256V
Sitio oficial
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 78 100
5.0
Versión PCIe
4.0
8
Carriles PCIe
-

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