Qualcomm Snapdragon X Elite vs Intel Core Ultra 7 258V

VS

Qualcomm Snapdragon X Elite

Intel Core Ultra 7 258V

Hemos comparado dos CPU portátil 12 núcleos 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite con 8 núcleos 2.2GHz Intel Core Ultra 7 258V. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Qualcomm Snapdragon X Elite Ventajas de

Mejor rendimiento de tarjeta gráfica

Frecuencia base más alta (3.8GHz vs 2.2GHz)

Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 12MB)

Intel Core Ultra 7 258V Ventajas de

Lanzado 11 meses tarde

Mayor especificación de memoria (8533 frente a 8448)

Ancho de banda de memoria mayor (136GB/s vs 135GB/s)

Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)

Proceso de fabricación más moderno (3nm vs 4nm)

Menor TDP (37W vs 65W)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único

Qualcomm Snapdragon X Elite

1673

Intel Core Ultra 7 258V +19%

1991

Cinebench R23 Multi Core

Qualcomm Snapdragon X Elite +18%

14548

Intel Core Ultra 7 258V

12310

Geekbench 6 Núcleo Individual

Qualcomm Snapdragon X Elite +13%

2980

Intel Core Ultra 7 258V

2619

Geekbench 6 Multi Core

Qualcomm Snapdragon X Elite +44%

15226

Intel Core Ultra 7 258V

10510

Cinebench 2024 Single-Core

Qualcomm Snapdragon X Elite +10%

133

Intel Core Ultra 7 258V

120

Cinebench 2024 Multi Core

Qualcomm Snapdragon X Elite +85%

1220

Intel Core Ultra 7 258V

657

Blender

Qualcomm Snapdragon X Elite +250%

470

Intel Core Ultra 7 258V

134

Qualcomm Snapdragon X Elite

VS

Intel Core Ultra 7 258V

Parámetros generales

oct 2023

Fecha lanzamiento

sept 2024

Qualcomm

Fabricante

Intel

Portátil

Tipo

Portátil

Arm-64

Conjunto instrucciones

x86-64

Oryon

Arquitectura núcleo

Lunar Lake

Snapdragon X Elite

Núm. procesador

258V

Zócalo

FCBGA-2833

No

Gráficos integrados

No

Oryon

Generación

Ultra 7 (Lunar Lake)

Paquete

4 nm

Proceso Fabricación

3 nm

23 W

Consumo Energía

17 W

80 W

Máx. Consumo Turbo

-

Temp. Máxima

100 °C

Samsung TSMC

Fundición

TSMC

mm²

Tamaño del Die

-

Rendimiento CPU

12

Núcleos de rendimiento

4

12

Núcleos Rendimiento

4

3.8 GHz

Frec. Base Rendimiento

2.2 GHz

4.3 GHz

Frec. Turbo Rendimiento

4.8 GHz

-

Núcleos Eficientes

4

-

Hilos Eficientes

4

-

Frec. Base Eficiente

2.2 GHz

-

Frec. Turbo Eficiente

3.7 GHz

12

Total Núcleos

8

12

Total Hilos

8

100 MHz

Frec. Bus

100 MHz

Multiplicador

22

-

Caché L0

48 KB per core

-

Caché L1

192 KB per core

-

Caché L2

14 MB

42 MB

Caché L3

12 MB

No

Multip. Desbloqueado

No

1

SMP

1

Parámetros memoria

LPDDR5x-8448

Tipos de memoria

LPDDR5X-8533

64 GB

Tamaño máx. memoria

32 GB

2

Canales máx. memoria

2

135 GB/s

Ancho de banda máx.

136 GB/s

No

Soporte memoria ECC

No

Parámetros tarjeta gráfica

true

Gráficos integrados

true

Frecuencia base GPU

600 MHz

Frecuencia máx. dinámica GPU

1950 MHz

Unidades shader

1024

Unidades de ejecución

8

4.6 TFLOPS

Rendimiento gráfico

3.99 TFLOPS

Acelerador de IA

-

NPU

Intel® AI Boost

-

Rendimiento teórico

47 TOPS

Varios

Qualcomm Snapdragon X Elite

Sitio oficial

Intel Core Ultra 7 258V

4.0

Versión PCIe

5.0

Carriles PCIe

8

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