Inicio Comparación Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i5 1030NG7

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i5 1030NG7

Qualcomm Snapdragon X Plus
VS
Intel Core i5 1030NG7
Qualcomm Snapdragon X Plus
Intel Core i5 1030NG7
Hemos comparado dos CPU portátil 10 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus con 4 núcleos 1.1GHz Intel Core i5 1030NG7. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Qualcomm Snapdragon X Plus Ventajas de
Lanzado 4 años y 1 meses tarde
Mayor especificación de memoria (8448 frente a 3733)
Ancho de banda de memoria mayor (135GB/s vs 58.3GB/s)
Nueva versión de PCIe (4.0 vs 3.0)
Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 1.1GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 6MB)
Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 10nm)
Intel Core i5 1030NG7 Ventajas de
Menor TDP (10W vs 23W)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Qualcomm Snapdragon X Plus +42%
1488
Intel Core i5 1030NG7
1044
Cinebench R23 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus +186%
11931
Intel Core i5 1030NG7
4167
Geekbench 6 Núcleo Individual
Qualcomm Snapdragon X Plus +89%
2347
Intel Core i5 1030NG7
1239
Geekbench 6 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus +307%
12973
Intel Core i5 1030NG7
3183
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus +1340%
360
Intel Core i5 1030NG7
25
Passmark CPU Núcleo único
Qualcomm Snapdragon X Plus +81%
3208
Intel Core i5 1030NG7
1768
Passmark CPU Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus +270%
21685
Intel Core i5 1030NG7
5855
Qualcomm Snapdragon X Plus
VS
Intel Core i5 1030NG7

Parámetros generales

abr 2024
Fecha lanzamiento
mar 2020
Qualcomm
Fabricante
Intel
Portátil
Tipo
Portátil
ARMv9
Conjunto instrucciones
x86-64
Snapdragon X
Arquitectura núcleo
Ice Lake Y
X1P-64-100
Núm. procesador
i5-1030NG7
Custom
Zócalo
BGA-1377
No
Gráficos integrados
No
Oryon
Generación
-

Paquete

4 nm
Proceso Fabricación
10 nm
23 W
Consumo Energía
10 W
80 W
Máx. Consumo Turbo
-
Temp. Máxima
100 °C
Samsung TSMC
Fundición
-
mm²
Tamaño del Die
-

Rendimiento CPU

10
Núcleos de rendimiento
4
10
Núcleos Rendimiento
8
3.4 GHz
Frec. Base Rendimiento
1.1 GHz
3.4 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
3.5 GHz
10
Total Núcleos
4
10
Total Hilos
8
100 MHz
Frec. Bus
100 MHz
34x
Multiplicador
11x
-
Caché L1
48 K per core
-
Caché L2
512 K per core
42 MB
Caché L3
6 MB shared
No
Multip. Desbloqueado
No
1
SMP
-

Parámetros memoria

LPDDR5X-8448
Tipos de memoria
LPDDR4-3733
64 GB
Tamaño máx. memoria
32 GB
8
Canales máx. memoria
2
135 GB/s
Ancho de banda máx.
58.3 GB/s
No
Soporte memoria ECC
No

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
500 MHz
Frecuencia base GPU
300 MHz
1200 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
1050 MHz
1536
Unidades shader
512
48
Unidades de textura
64
6
Unidades ROP
8
6
Unidades de ejecución
-
Consumo de energía
15 W
-
Resolución máx.
5120x3200 - 60 Hz
3.8 TFLOPS
Rendimiento gráfico
-

Varios

Qualcomm Snapdragon X Plus
Sitio oficial
Intel Core i5 1030NG7
4.0
Versión PCIe
3.0
Carriles PCIe
16

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