Inicio Comparación Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100 vs Qualcomm Snapdragon X Elite

Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100 vs Qualcomm Snapdragon X Elite

Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
VS
Qualcomm Snapdragon X Elite
Qualcomm Snapdragon X Plus (X1P-42-100)
Qualcomm Snapdragon X Elite
Hemos comparado dos CPU portátil 8 núcleos 3.2GHz Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100 con 12 núcleos 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100 Ventajas de
Lanzado 11 meses tarde
Menor TDP (23W vs 65W)
Qualcomm Snapdragon X Elite Ventajas de
Mayor especificación de memoria (8448 frente a 8448)
Frecuencia base más alta (3.8GHz vs 3.2GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 30MB)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
1481
Qualcomm Snapdragon X Elite +12%
1673
Cinebench R23 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
10740
Qualcomm Snapdragon X Elite +35%
14548
Geekbench 6 Núcleo Individual
Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
2385
Qualcomm Snapdragon X Elite +24%
2980
Geekbench 6 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
11494
Qualcomm Snapdragon X Elite +32%
15226
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
109
Qualcomm Snapdragon X Elite +22%
133
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
735
Qualcomm Snapdragon X Elite +65%
1220
Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
VS
Qualcomm Snapdragon X Elite

Parámetros generales

sept 2024
Fecha lanzamiento
oct 2023
Qualcomm
Fabricante
Qualcomm
Portátil
Tipo
Portátil
ARMv9
Conjunto instrucciones
Arm-64
Snapdragon X
Arquitectura núcleo
Oryon
X1E-42-100
Núm. procesador
Snapdragon X Elite
Custom
Zócalo
No
Gráficos integrados
No
-
Generación
Oryon

Paquete

4 nm
Proceso Fabricación
4 nm
23 W
Consumo Energía
23 W
-
Máx. Consumo Turbo
80 W
-
Temp. Máxima
-
Fundición
Samsung TSMC
-
Tamaño del Die
mm²

Rendimiento CPU

8
Núcleos de rendimiento
12
8
Núcleos Rendimiento
12
3.2 GHz
Frec. Base Rendimiento
3.8 GHz
3.4 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
4.3 GHz
8
Total Núcleos
12
8
Total Hilos
12
-
Frec. Bus
100 MHz
32x
Multiplicador
30 MB
Caché L3
42 MB
No
Multip. Desbloqueado
No
-
SMP
1

Parámetros memoria

LPDDR5X-8448
Tipos de memoria
LPDDR5x-8448
64 GB
Tamaño máx. memoria
64 GB
8
Canales máx. memoria
2
135 GB/s
Ancho de banda máx.
135 GB/s
No
Soporte memoria ECC
No

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
500 MHz
Frecuencia base GPU
1107 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
1536
Unidades shader
48
Unidades de textura
6
Unidades ROP
6
Unidades de ejecución
-
Consumo de energía
3.7 TFLOPS
Rendimiento gráfico
4.6 TFLOPS

Acelerador de IA

Qualcomm Hexagon NPU
NPU
-
45 TOPS
Rendimiento teórico
-

Varios

Qualcomm Snapdragon X Plus X1P 42 100
Sitio oficial
Qualcomm Snapdragon X Elite
4.0
Versión PCIe
4.0
-
Carriles PCIe

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