Accueil Comparaison Intel Core i9 13900HX vs Qualcomm Snapdragon X Elite

Intel Core i9 13900HX vs Qualcomm Snapdragon X Elite

Nous avons comparé deux CPU ordinateur portable : Intel Core i9 13900HX avec 24 cœurs 2.2GHz et Qualcomm Snapdragon X Elite avec 12 cœurs 3.8GHz. Vous découvrirez quel processeur offre de meilleures performances dans les tests de référence, les spécifications clés, la consommation d'énergie et plus encore.

Différences Clés

Intel Core i9 13900HX Avantages de
Version plus récente de PCIe (5.0 vs 4.0)
Consommation électrique inférieure (55W vs 65W)
Qualcomm Snapdragon X Elite Avantages de
Sorti avec un retard de 9 mois
Meilleures performances de la carte graphique
Spécification supérieure de mémoire (8448 vs 5600)
Bande passante mémoire plus élevée (135GB/s vs 89.6GB/s)
Fréquence de base plus élevée (3.8GHz vs 2.2GHz)
Taille de cache L3 plus grande (42MB vs 36MB)
Processus de fabrication plus moderne (4nm vs 10nm)

Score

Benchmark

Cinebench R23 Mono Coeur
Intel Core i9 13900HX +23%
2069
Qualcomm Snapdragon X Elite
1673
Cinebench R23 Multi Coeurs
Intel Core i9 13900HX +102%
29473
Qualcomm Snapdragon X Elite
14548
Geekbench 6 Noyau Unique
Intel Core i9 13900HX
2826
Qualcomm Snapdragon X Elite +5%
2980
Geekbench 6 Multi Core
Intel Core i9 13900HX +10%
16799
Qualcomm Snapdragon X Elite
15226
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core i9 13900HX
115
Qualcomm Snapdragon X Elite +15%
133
Cinebench 2024 Multi Core
Intel Core i9 13900HX +37%
1672
Qualcomm Snapdragon X Elite
1220
Blender
Intel Core i9 13900HX +2%
482
Qualcomm Snapdragon X Elite
470
VS

Paramètres généraux

janv. 2023
Date de sortie
oct. 2023
Intel
Fabricant
Qualcomm
Ordinateur portable
Type
Ordinateur portable
x86-64
Ensemble d'instructions
Arm-64
Raptor Lake
Architecture de cœur
Oryon
i9-13900HX
Numéro de processeur
Snapdragon X Elite
BGA-1964
Socket
UHD Graphics (32EU)
Graphiques intégrés
Adreno
-
Génération
Oryon

Paquet

10 nm
Processus de fabrication
4 nm
45-55 W
Consommation d'énergie
23-65 W
157 W
Consommation d'énergie Turbo max
80 W
100°C
Température de fonctionnement maximale
-
Fonderie
Samsung TSMC
-
Taille du Die
mm²

Performance du CPU

8
Cœurs de performance
12
16
Threads de cœur de performance
12
2.2 GHz
Fréquence de base (P)
3.8 GHz
5.4 GHz
Fréquence Turbo du cœur de performance
4.3 GHz
16
Cœurs d'efficacité
-
16
Threads de cœur d'efficacité
-
1.6 GHz
Fréquence de base du cœur d'efficacité
-
3.9 GHz
Fréquence Turbo du cœur d'efficacité
-
24
Nombre total de cœurs
12
32
Nombre total de threads
12
100 MHz
Fréquence du bus
100 MHz
22x
Multiplicateur
80 K per core
Cache L1
-
2 MB per core
Cache L2
-
36 MB shared
Cache L3
42 MB
Yes
Multiplicateur déverrouillé
No
-
SMP
1

Paramètres de mémoire

DDR5-5600, DDR4-3200
Types de mémoire
LPDDR5x-8448
192 GB
Taille max de mémoire
64 GB
2
Canaux de mémoire max
2
89.6 GB/s
Bande passante max de mémoire
135 GB/s
Yes
Support de mémoire ECC
No

Paramètres de la carte graphique

true
Graphiques intégrés
true
300 MHz
Fréquence de base du GPU
1650 MHz
Fréquence maximale dynamique du GPU
256
Unités de shader
16
Unités de texture
8
Unités d'opération de tramage
32
Unités d'exécution
45 W
Consommation d'énergie
0.74 TFLOPS
Performance graphique
4.6 TFLOPS

Divers

5.0
Version PCIe
4.0
20
Voies PCIe

Comparaisons CPU Associées

Actualités Connexes

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