Accueil Comparaison Qualcomm Snapdragon X Elite vs Intel Core i9 13980HX

Qualcomm Snapdragon X Elite vs Intel Core i9 13980HX

Nous avons comparé deux CPU ordinateur portable : Qualcomm Snapdragon X Elite avec 12 cœurs 3.8GHz et Intel Core i9 13980HX avec 24 cœurs 2.2GHz. Vous découvrirez quel processeur offre de meilleures performances dans les tests de référence, les spécifications clés, la consommation d'énergie et plus encore.

Différences Clés

Qualcomm Snapdragon X Elite Avantages de
Sorti avec un retard de 9 mois
Meilleures performances de la carte graphique
Spécification supérieure de mémoire (8448 vs 5600)
Bande passante mémoire plus élevée (135GB/s vs 89.6GB/s)
Fréquence de base plus élevée (3.8GHz vs 2.2GHz)
Taille de cache L3 plus grande (42MB vs 36MB)
Processus de fabrication plus moderne (4nm vs 10nm)
Intel Core i9 13980HX Avantages de
Version plus récente de PCIe (5.0 vs 4.0)
Consommation électrique inférieure (55W vs 65W)

Score

Benchmark

Cinebench R23 Mono Coeur
Qualcomm Snapdragon X Elite
1673
Intel Core i9 13980HX +28%
2156
Cinebench R23 Multi Coeurs
Qualcomm Snapdragon X Elite
14548
Intel Core i9 13980HX +115%
31314
Geekbench 6 Noyau Unique
Qualcomm Snapdragon X Elite +9%
2980
Intel Core i9 13980HX
2716
Geekbench 6 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Elite
15226
Intel Core i9 13980HX +10%
16825
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Elite +13%
133
Intel Core i9 13980HX
117
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Elite
1220
Intel Core i9 13980HX +22%
1495
Blender
Qualcomm Snapdragon X Elite +5%
470
Intel Core i9 13980HX
447
VS

Paramètres généraux

oct. 2023
Date de sortie
janv. 2023
Qualcomm
Fabricant
Intel
Ordinateur portable
Type
Ordinateur portable
Arm-64
Ensemble d'instructions
x86-64
Oryon
Architecture de cœur
Raptor Lake
Snapdragon X Elite
Numéro de processeur
i9-13980HX
Socket
BGA-1964
Adreno
Graphiques intégrés
UHD Graphics (32EU)
Oryon
Génération
-

Paquet

4 nm
Processus de fabrication
10 nm
23-65 W
Consommation d'énergie
45-55 W
80 W
Consommation d'énergie Turbo max
157 W
Température de fonctionnement maximale
100°C
Samsung TSMC
Fonderie
-
mm²
Taille du Die
-

Performance du CPU

12
Cœurs de performance
8
12
Threads de cœur de performance
16
3.8 GHz
Fréquence de base (P)
2.2 GHz
4.3 GHz
Fréquence Turbo du cœur de performance
5.6 GHz
-
Cœurs d'efficacité
16
-
Threads de cœur d'efficacité
16
-
Fréquence de base du cœur d'efficacité
1.6 GHz
-
Fréquence Turbo du cœur d'efficacité
4 GHz
12
Nombre total de cœurs
24
12
Nombre total de threads
32
100 MHz
Fréquence du bus
100 MHz
Multiplicateur
22x
-
Cache L1
80 K per core
-
Cache L2
2 MB per core
42 MB
Cache L3
36 MB shared
No
Multiplicateur déverrouillé
No
1
SMP
-

Paramètres de mémoire

LPDDR5x-8448
Types de mémoire
DDR5-5600, DDR4-3200
64 GB
Taille max de mémoire
192 GB
2
Canaux de mémoire max
2
135 GB/s
Bande passante max de mémoire
89.6 GB/s
No
Support de mémoire ECC
Yes

Paramètres de la carte graphique

true
Graphiques intégrés
true
Fréquence de base du GPU
300 MHz
Fréquence maximale dynamique du GPU
1650 MHz
Unités de shader
256
Unités de texture
16
Unités d'opération de tramage
8
Unités d'exécution
32
Consommation d'énergie
45 W
4.6 TFLOPS
Performance graphique
0.74 TFLOPS

Divers

4.0
Version PCIe
5.0
Voies PCIe
20

Comparaisons CPU Associées

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