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GPU对比
NVIDIA GeForce RTX 4050 Mobile vs NVIDIA GeForce RTX 3070 Mobile
NVIDIA GeForce RTX 4050 Mobile vs NVIDIA GeForce RTX 3070 Mobile
VS
NVIDIA GeForce RTX 4050 Mobile
NVIDIA GeForce RTX 3070 Mobile
我们比较了两个定位移动平台的GPU:6GB显存的 GeForce RTX 4050 Mobile 与 8GB显存的 GeForce RTX 3070 Mobile 。您将了解两者在主要规格、基准测试、功耗等信息中哪个GPU具有更好的性能。
主要差异
NVIDIA GeForce RTX 4050 Mobile 的优势
发布时间晚2年
最大睿频提高12% (1755MHz 与 1560MHz)
更低的TDP功耗 (50W 与 115W)
NVIDIA GeForce RTX 3070 Mobile 的优势
更大的显存 (8GB 与 6GB)
更大的显存带宽 (448.0GB/s 与 192.0GB/s)
多出2560个渲染核心
评分
基准测试
FP32浮点性能
GeForce RTX 4050 Mobile
8.986 TFLOPS
GeForce RTX 3070 Mobile
+77%
15.97 TFLOPS
3DMark Time Spy
GeForce RTX 4050 Mobile
8238
GeForce RTX 3070 Mobile
+26%
10456
Blender
GeForce RTX 4050 Mobile
2798
GeForce RTX 3070 Mobile
+18%
3317
OctaneBench
GeForce RTX 4050 Mobile
258
GeForce RTX 3070 Mobile
+38%
358
古墓丽影 暗影 2160p
GeForce RTX 4050 Mobile
32
GeForce RTX 3070 Mobile
+31%
42
古墓丽影 暗影 1440p
GeForce RTX 4050 Mobile
68
GeForce RTX 3070 Mobile
+11%
76
古墓丽影 暗影 1080p
GeForce RTX 4050 Mobile
+9%
114
GeForce RTX 3070 Mobile
104
侠盗猎车手5 2160p
GeForce RTX 4050 Mobile
64
GeForce RTX 3070 Mobile
+21%
78
侠盗猎车手5 1440p
GeForce RTX 4050 Mobile
64
GeForce RTX 3070 Mobile
+31%
84
侠盗猎车手5 1080p
GeForce RTX 4050 Mobile
+7%
168
GeForce RTX 3070 Mobile
156
GeForce RTX 4050 Mobile
VS
GeForce RTX 3070 Mobile
基本信息
2023年1月
发布日期
2021年1月
GeForce 40 Mobile
产品系列
GeForce 30 Mobile
移动
类型
移动
PCIe 4.0 x16
总线接口
PCIe 4.0 x16
时钟速度
1455 MHz
基础频率
1110 MHz
1755 MHz
最大睿频
1560 MHz
2000 MHz
显存频率
1750 MHz
显存
6GB
显存容量
8GB
GDDR6
显存类型
GDDR6
96bit
显存位宽
256bit
192.0GB/s
显存带宽
448.0GB/s
渲染规格
-
-
-
20
GPU大核数量
40
2560
流处理器数量
5120
80
纹理单元
160
48
光栅单元
80
80
张量核心
160
20
光追核心
40
128 KB (per SM)
一级缓存
128 KB (per SM)
12 MB
二级缓存
4 MB
-
-
-
理论性能
84.24 GPixel/s
像素填充率
124.8 GPixel/s
140.4 GTexel/s
纹理填充率
249.6 GTexel/s
8.986 TFLOPS
FP16性能
15.97 TFLOPS
8.986 TFLOPS
FP32性能
15.97 TFLOPS
140.4 GFLOPS
FP64性能
249.6 GFLOPS
板卡设计
50W
功耗
115W
-
-
-
Portable Device Dependent
输出接口
No outputs
None
电源接口
None
图形处理器
AD107
GPU型号
GA104
GN21-X2
GPU规格
GA104-770-A1
Ada Lovelace
架构
Ampere
TSMC
芯片厂
Samsung
5 nm
芯片工艺
8 nm
189亿
晶体管数量
174亿
159mm²
芯片面积
392mm²
图形特性
12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
8.9
CUDA
8.6
6.7
Shader Model
6.6
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