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Qualcomm Snapdragon 835 vs MediaTek Dimensity 810

私たちはスマートフォン SoCの2つのバージョンを比較しました:8コア2450MHz Qualcomm Snapdragon 835 vs. 8コア2400MHz MediaTek Dimensity 810。ベンチマークテスト、主要な仕様、消費電力など、どのプロセッサーが優れているかを調べることができます。

主要な違い

Qualcomm Snapdragon 835 利点
より優れたグラフィックスカード性能 FLOPS (0.5675 TFLOPS vs 0.243 TFLOPS )
大容量メモリ帯域幅 (29.8GB/s vs 17.07GB/s)
高い 周波数 (2450MHz vs 2400MHz)
MediaTek Dimensity 810 利点
よりモダンな製造プロセス (6nm vs 10nm)
低TDP (6W vs 9W)
リリースが4年 と 9 ヶ月 遅れました

スコア

ベンチマーク

AnTuTu 10
Qualcomm Snapdragon 835
339384
MediaTek Dimensity 810 +27%
433200
Geekbench 6 シングルコア
Qualcomm Snapdragon 835
415
MediaTek Dimensity 810 +89%
787
Geekbench 6 マルチコア
Qualcomm Snapdragon 835
1519
MediaTek Dimensity 810 +28%
1945
FP32 (浮動小数点)
Qualcomm Snapdragon 835 +133%
567
MediaTek Dimensity 810
243
VS

CPU

4x 2.45 GHz – Kryo 280 (Cortex-A73)
4x 1.9 GHz – Kryo 280 (Cortex-A53)
アーキテクチャ
2x 2.4 GHz – Cortex-A76
6x 2 GHz – Cortex-A55
2450 MHz
周波数
2400 MHz
8
コア
8
ARMv8-A
命令セット
ARMv8.2-A
2 MB
L2キャッシュ
1 MB
-
L3キャッシュ
0
10 nm
プロセス
6 nm
3
トランジスタ数
12
9 W
TDP
6 W
Samsung
製造
TSMC

グラフィックス

Adreno 540
GPU名
Mali-G57 MP2
739 MHz
GPU周波数
950 MHz
1
実行ユニット
2
384
シェーディングユニット
64
8
最大サイズ
16
0.5675 TFLOPS
FLOPS
0.243 TFLOPS
1.0
Vulkan バージョン
1.3
2.0
OpenCL バージョン
2.0
11
DirectX バージョン
12

メモリ

LPDDR4X
メモリの種類
LPDDR4X
1866 MHz
メモリ周波数
2133 MHz
2x 32 Bit
Bus
2x 16 Bit
29.8 Gbit/s
最大帯域幅
17.07 Gbit/s

Multimedia (ISP)

Hexagon 682
ニューラルプロセッサ (NPU)
MediaTek APU 3.0
UFS 2.1
ストレージタイプ
UFS 2.2
3840 x 2160
最大表示解像度
2520 x 1080
1x 32MP, 2x 16MP
カメラの最大解像度
1x 64MP, 2x 16MP
4K at 30FPS
ビデオキャプチャ
2K at 30FPS
4K at 30FPS
ビデオ再生
2K at 30FPS
H.264, H.265, VP9
ビデオコーデック
H.264, H.265, VP9
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
オーディオコーデック
AAC LC, MP3, HE-AACv1, HE-AACv2, FLAC
X16
モデム
-

コネクティビティ

LTE Cat. 16
4Gサポート
LTE Cat. 18
No
5Gサポート
Yes
Up to 1000 Mbps
ダウンロード速度
Up to 2770 Mbps
Up to 150 Mbps
アップロード速度
Up to 1250 Mbps
5
Wi-Fi
5
5.0
Bluetooth
5.1
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
Navigation
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, NAVIC

Info

2016年11月
発表済み
2021年8月
Flagship
クラス
Mid range
MSM8998
モデル番号
MT6833V

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