Casa Comparação Qualcomm Snapdragon X Plus vs Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

Comparámos dois CPUs Portátil: Qualcomm Snapdragon X Plus com 10 núcleos 3.4GHz e Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 com 12 núcleos 3.8GHz. Vais descobrir qual processador tem melhor desempenho em testes de benchmark, especificações-chave, consumo de energia e mais.

Diferenças chave

Qualcomm Snapdragon X Plus Vantagens
Lançado 6 meses atrasado
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 Vantagens
Melhor desempenho da placa gráfica
Especificação mais alta de memória (8448 vs 8448)
Frequência base mais alta (3.8GHz vs 3.4GHz)

Pontuação

Referência

Cinebench R23 Núcleo Único
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +20%
1790
Cinebench R23 Multinúcleo
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +23%
14761
Geekbench 6 Núcleo Único
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +22%
2879
Geekbench 6 Multinúcleo
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +17%
15200
Cinebench 2024 Núcleo Único
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +19%
130
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +22%
1034
Passmark CPU Núcleo Único
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +23%
3963
Passmark CPU Multinúcleo
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +8%
23592
VS

Parâmetros gerais

abr. 2024
Data de lançamento
out. 2023
Qualcomm
Fabricante
Qualcomm
Portátil
Tipo
Portátil
ARMv9
Conjunto de instruções
ARMv9
Snapdragon X
Arquitetura do núcleo
Snapdragon X
X1P-64-100
Número do processador
X1E-84-100
Custom
Soquete
Custom
Qualcomm Adreno X1
Gráficos integrados
Qualcomm Adreno X1
Oryon
Geração
-

Pacote

4 nm
Processo de Fabricação
4 nm
23 W
Consumo de Energia
23 W
80 W
Consumo Máximo de Energia Turbo
80 W
Temperatura Operacional Máxima
-
Samsung TSMC
Fundição
-
mm²
Tamanho do Die
-

Desempenho do CPU

10
Núcleos de Desempenho
12
10
Threads do Núcleo de Desempenho
12
3.4 GHz
Frequência Base do Núcleo de Desempenho
3.8 GHz
3.4 GHz
Frequência Turbo do Núcleo de Desempenho
4.2 GHz
10
Total de Núcleos
12
10
Total de Threads
12
100 MHz
Frequência do Barramento
-
34x
Multiplicador
38x
42 MB
Cache L3
42 MB
No
Multiplicador Desbloqueado
No
1
SMP
-

Parâmetros de memória

LPDDR5X-8448
Tipos de memória
LPDDR5x-8448
64 GB
Tamanho máximo de memória
64 GB
8
Canais máximos de memória
8
135 GB/s
Largura de banda máxima de memória
135 GB/s
No
Suporte de memória ECC
No

Parâmetros da placa gráfica

true
Gráficos integrados
true
500 MHz
Frequência base da GPU
500 MHz
1200 MHz
Frequência máxima dinâmica da GPU
1500 MHz
1536
Unidades de shader
1536
48
Unidades de textura
48
6
Unidades de operação de raster
6
6
Unidades de execução
6
Consumo de energia
-
3.8 TFLOPS
Desempenho gráfico
4.6 TFLOPS

Acelerador de IA

-
NPU
Qualcomm Hexagon NPU
-
Desempenho teórico
45 TOPS

Diversos

4.0
Versão do PCIe
4.0
Faixas PCIe
-

Comparação de CPU

Notícias Relacionadas

© 2024 - TopCPU.net   Contate-Nos Política de Privacidade