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手机平板SoC对比
Qualcomm Snapdragon 435 vs HiSilicon Kirin 655
Qualcomm Snapdragon 435 vs HiSilicon Kirin 655
VS
Qualcomm Snapdragon 435
HiSilicon Kirin 655
我们比较了两个手机版SoC:8核 1400MHz Qualcomm Snapdragon 435 与 8核 2120MHz HiSilicon Kirin 655 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon 435 的优势
更低的功耗 (4W 与 5W)
HiSilicon Kirin 655 的优势
更高的显卡性能FLOPS (0.0576 TFLOPS 与 0.0432 TFLOPS )
更高的主频 (2120MHz 与 1400MHz)
更先进的制程 (16nm 与 28nm)
发布时间晚10个月
评分
基准测试
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon 435
141
HiSilicon Kirin 655
+34%
189
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon 435
620
HiSilicon Kirin 655
+11%
694
FP32浮点性能
Qualcomm Snapdragon 435
43
HiSilicon Kirin 655
+32%
57
Qualcomm Snapdragon 435
VS
HiSilicon Kirin 655
处理器
8x 1.4 GHz – Cortex-A53
架构
4x 2.12 GHz – Cortex-A53
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
1400 MHz
主频
2120 MHz
8
核心数
8
ARMv8-A
指令集
ARMv8-A
28 nm
制程
16 nm
1
晶体管数
4
4 W
TDP功耗
5 W
Samsung
制造厂
-
显卡
Adreno 505
显卡型号
Mali-T830 MP2
450 MHz
主频
900 MHz
1
执行单元
2
48
着色单元
16
4
最大容量
4
0.0432 TFLOPS
FLOPS
0.0576 TFLOPS
1.0
Vulkan 版本
1.0
2.0
OpenCL 版本
1.2
11
DirectX 版本
11
内存
LPDDR3
内存类型
LPDDR3
800 MHz
内存频率
933 MHz
1x 32 Bit
总线
2x 32 Bit
6.4 Gbit/s
最大带宽
-
多媒体
Hexagon 536
神经网络处理器 (NPU)
No
eMMC 5.1
存储类型
eMMC 5.1
1920 x 1200
最大显示分辨率
1920 x 1200
1x 21MP
最大相机分辨率
1x 16MP, 2x 8MP
1K at 30FPS
视频拍摄
1K at 60FPS
1080p at 60FPS
视频播放
1080p at 60FPS
H.264, H.265, VP8
视频编码
H.264, H.265
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
X9
无线模块
-
网络
LTE Cat. 7
4G网络
LTE Cat. 7
No
5G网络
No
Up to 300 Mbps
下载速度
Up to 300 Mbps
Up to 100 Mbps
上传速度
Up to 50 Mbps
5
Wi-Fi
4
4.1
蓝牙
4.1
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou
其他信息
2016年2月
发行日期
2016年12月
Low end
级别
Mid range
MSM8940
型号
-
Qualcomm Snapdragon 435
官网链接
-
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