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手机平板SoC对比
Qualcomm Snapdragon 660 vs HiSilicon Kirin 9000E
Qualcomm Snapdragon 660 vs HiSilicon Kirin 9000E
VS
Qualcomm Snapdragon 660
HiSilicon Kirin 9000E
我们比较了两个手机版SoC:8核 2200MHz Qualcomm Snapdragon 660 与 8核 3130MHz HiSilicon Kirin 9000E 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon 660 的优势
更低的功耗 (5W 与 6W)
HiSilicon Kirin 9000E 的优势
更高的显卡性能FLOPS (2.1373 TFLOPS 与 0.2176 TFLOPS )
更大的最大带宽 (44Gbit/s 与 13.9Gbit/s)
更高的主频 (3130MHz 与 2200MHz)
更先进的制程 (5nm 与 14nm)
发布时间晚3年5个月
评分
基准测试
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon 660
345
HiSilicon Kirin 9000E
+240%
1176
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon 660
1242
HiSilicon Kirin 9000E
+162%
3255
FP32浮点性能
Qualcomm Snapdragon 660
217
HiSilicon Kirin 9000E
+884%
2137
Qualcomm Snapdragon 660
VS
HiSilicon Kirin 9000E
处理器
4x 2.2 GHz – Kryo 260 Gold (Cortex-A73)
4x 1.84 GHz – Kryo 260 Silver (Cortex-A53)
架构
1x 3.13 GHz – Cortex-A77
3x 2.54 GHz – Cortex-A77
4x 2.05 GHz – Cortex-A55
2200 MHz
主频
3130 MHz
8
核心数
8
ARMv8-A
指令集
ARMv8.2-A
2 MB
2级缓存
-
14 nm
制程
5 nm
1.75
晶体管数
15.3
5 W
TDP功耗
6 W
Samsung
制造厂
TSMC
显卡
Adreno 512
显卡型号
Mali-G78 MP22
850 MHz
主频
759 MHz
1
执行单元
22
128
着色单元
64
8
最大容量
16
0.2176 TFLOPS
FLOPS
2.1373 TFLOPS
1.0
Vulkan 版本
1.3
2.0
OpenCL 版本
2.0
11
DirectX 版本
12
内存
LPDDR4X
内存类型
LPDDR5
1866 MHz
内存频率
2750 MHz
2x 16 Bit
总线
4x 16 Bit
13.9 Gbit/s
最大带宽
44 Gbit/s
多媒体
Hexagon 680
神经网络处理器 (NPU)
AI accelerator
eMMC 5.1, UFS 2.1
存储类型
UFS 3.1
2560 x 1600
最大显示分辨率
3840 x 2160
1x 48MP, 2x 16MP
最大相机分辨率
-
4K at 30FPS
视频拍摄
4K at 60FPS
4K at 30FPS
视频播放
4K at 60FPS
H.264, H.265, VP8, VP9
视频编码
H.264, H.265, VP9
AAC LC, MP3, HE-AACv1, HE-AACv2, FLAC
音频编码
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
X12
无线模块
Balong 5000
网络
LTE Cat. 13
4G网络
LTE Cat. 24
No
5G网络
Yes
Up to 600 Mbps
下载速度
Up to 4600 Mbps
Up to 150 Mbps
上传速度
Up to 2500 Mbps
5
Wi-Fi
6
5.0
蓝牙
5.2
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS, NAVIC
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, NAVIC
其他信息
2017年5月
发行日期
2020年10月
Mid range
级别
Flagship
SM6115
型号
-
Qualcomm Snapdragon 660
官网链接
HiSilicon Kirin 9000E
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