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手机平板SoC对比
Qualcomm Snapdragon 835 vs HiSilicon Kirin 710
Qualcomm Snapdragon 835 vs HiSilicon Kirin 710
VS
Qualcomm Snapdragon 835
HiSilicon Kirin 710
我们比较了两个手机版SoC:8核 2450MHz Qualcomm Snapdragon 835 与 8核 2200MHz HiSilicon Kirin 710 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon 835 的优势
更高的显卡性能FLOPS (0.5675 TFLOPS 与 0.128 TFLOPS )
更高的主频 (2450MHz 与 2200MHz)
更先进的制程 (10nm 与 12nm)
HiSilicon Kirin 710 的优势
更低的功耗 (5W 与 9W)
发布时间晚1年8个月
评分
基准测试
安兔兔 10
Qualcomm Snapdragon 835
+67%
339384
HiSilicon Kirin 710
202054
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon 835
+16%
415
HiSilicon Kirin 710
356
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon 835
+26%
1519
HiSilicon Kirin 710
1197
FP32浮点性能
Qualcomm Snapdragon 835
+342%
567
HiSilicon Kirin 710
128
Qualcomm Snapdragon 835
VS
HiSilicon Kirin 710
处理器
4x 2.45 GHz – Kryo 280 (Cortex-A73)
4x 1.9 GHz – Kryo 280 (Cortex-A53)
架构
4x 2.2 GHz – Cortex-A73
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
2450 MHz
主频
2200 MHz
8
核心数
8
ARMv8-A
指令集
ARMv8-A
2 MB
2级缓存
512 KB
-
3级缓存
0
10 nm
制程
12 nm
3
晶体管数
5.5
9 W
TDP功耗
5 W
Samsung
制造厂
TSMC
显卡
Adreno 540
显卡型号
Mali-G51 MP4
739 MHz
主频
1000 MHz
1
执行单元
4
384
着色单元
16
8
最大容量
6
0.5675 TFLOPS
FLOPS
0.128 TFLOPS
1.0
Vulkan 版本
1.3
2.0
OpenCL 版本
2.0
11
DirectX 版本
12
内存
LPDDR4X
内存类型
LPDDR4X
1866 MHz
内存频率
1866 MHz
2x 32 Bit
总线
2x 32 Bit
29.8 Gbit/s
最大带宽
-
多媒体
Hexagon 682
神经网络处理器 (NPU)
No
UFS 2.1
存储类型
eMMC 5.1, UFS 2.1
3840 x 2160
最大显示分辨率
2340 x 1080
1x 32MP, 2x 16MP
最大相机分辨率
1x 40MP, 2x 24MP
4K at 30FPS
视频拍摄
1K at 30FPS
4K at 30FPS
视频播放
1080p at 60FPS
H.264, H.265, VP9
视频编码
H.264, H.265, VP8, VP9
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
X16
无线模块
-
网络
LTE Cat. 16
4G网络
LTE Cat. 12
No
5G网络
No
Up to 1000 Mbps
下载速度
Up to 600 Mbps
Up to 150 Mbps
上传速度
Up to 150 Mbps
5
Wi-Fi
4
5.0
蓝牙
4.2
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo
其他信息
2016年11月
发行日期
2018年7月
Flagship
级别
Mid range
MSM8998
型号
Hi6260
Qualcomm Snapdragon 835
官网链接
HiSilicon Kirin 710
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