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CPU對比
Intel Processor N100 vs Qualcomm Snapdragon X Elite
Intel Processor N100 vs Qualcomm Snapdragon X Elite
VS
Intel Processor N100
Qualcomm Snapdragon X Elite
我們比較了兩個筆記型電腦版CPU:4核 1.8GHz Intel Processor N100 與 12核 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite 。您將了解兩者在基準測試、主要規格、功耗等資訊中哪個處理器具有更好的性能。
主要差異
Intel Processor N100 的優勢
更低的TDP功耗 (6W vs 65W)
Qualcomm Snapdragon X Elite 的優勢
發布時間晚 9 個月
更强的顯示卡效能
更高規格的記憶體 (8448 vs 4800)
更大的最大記憶體頻寬 (135GB/s vs 38.4GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 vs 3.0)
更大的三級緩存 (42MB vs 6MB)
更先進的製程 (4nm vs 10nm)
評分
基準測試
Cinebench R23 單核
Intel Processor N100
924
Qualcomm Snapdragon X Elite
+81%
1673
Cinebench R23 多核
Intel Processor N100
2921
Qualcomm Snapdragon X Elite
+398%
14548
Geekbench 6 單核
Intel Processor N100
1204
Qualcomm Snapdragon X Elite
+147%
2980
Geekbench 6 多核
Intel Processor N100
2314
Qualcomm Snapdragon X Elite
+557%
15226
Blender
Intel Processor N100
40
Qualcomm Snapdragon X Elite
+1075%
470
Intel Processor N100
VS
Qualcomm Snapdragon X Elite
基本參數
2023 1月
發行日期
2023 10月
Intel
廠商
Qualcomm
筆記型電腦
類型
筆記型電腦
x86-64
指令集
Arm-64
Alder Lake
內核架構
Oryon
N100
處理器編號
Snapdragon X Elite
BGA-1264
插座
UHD Graphics (24 EU)
核心顯示卡
Adreno
-
世代
Oryon
封裝
10 nm
製程
4 nm
6 W
功耗
23 W
-
最大睿頻功耗
80 W
105°C
峰值工作溫度
-
鑄造廠
Samsung TSMC
-
晶圓尺寸
mm²
CPU效能
-
效能核心
12
-
效能核心線程
12
效能核心基礎頻率
3.8 GHz
-
效能核心睿頻
4.3 GHz
4
能效核心
-
4
能效核心線程
-
1.8 GHz
能效核心基礎頻率
-
3.2 GHz
能效核心睿頻
-
4
總核心數
12
4
總線程數
12
100 MHz
匯流排頻率
100 MHz
34x
倍頻
96 K per core
一級緩存
-
2 MB shared
二級緩存
-
6 MB shared
三級緩存
42 MB
否
非鎖頻
否
-
SMP
1
記憶體參數
DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-4800
記憶體類型
LPDDR5x-8448
16 GB
最大記憶體大小
64 GB
1
最大記憶體通道數
2
38.4 GB/s
最大記憶體頻寬
135 GB/s
否
支援 ECC 記憶體
否
顯示卡參數
是
核心顯示晶片
是
-
顯示卡基本頻率
750 MHz
顯示卡最大動態頻率
256
著色器數量
16
紋理單元
8
光柵處理單元
24
執行單元
10 W
功耗
0.3 TFLOPS
顯示卡效能
4.6 TFLOPS
其他
Intel Processor N100
官方網站連結
Qualcomm Snapdragon X Elite
3.0
PCIe版本
4.0
9
PCIe通道數
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