Intel Processor N150 vs Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
我們比較了兩個筆記型電腦版CPU：4核 0.1GHz Intel Processor N150 與 12核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 。您將了解兩者在基準測試、主要規格、功耗等資訊中哪個處理器具有更好的性能。
主要差異
Intel Processor N150 的優勢
發布時間晚 1 年1 個月
更低的TDP功耗 (6W vs 35W)
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 的優勢
更强的顯示卡效能
更高規格的記憶體 (8448 vs 4800)
更大的最大記憶體頻寬 (135GB/s vs 38.4GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 vs 3)
更高的效能核心基礎頻率 (3.4GHz vs 0.1GHz)
更大的三級緩存 (42MB vs 6MB)
更先進的製程 (4nm vs 10nm)
評分
基準測試
Geekbench 6 單核
Intel Processor N150
1052
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+165%
2790
Geekbench 6 多核
Intel Processor N150
3033
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
+381%
14595
基本參數
2024 11月
發行日期
2023 10月
Intel
廠商
Qualcomm
筆記型電腦
類型
筆記型電腦
x86-64
指令集
ARMv8
Twin Lake
內核架構
Snapdragon X
N150
處理器編號
X1E-80-100
Intel BGA 1264
插座
Custom
UHD Graphics 730
核心顯示卡
Qualcomm Adreno X1-85
Intel Processor (Alder Lake-N)
世代
-
封裝
10 nm
製程
4 nm
6 W
功耗
35 W
-
最大睿頻功耗
45 W
105°C
峰值工作溫度
-
Intel
鑄造廠
-
CPU效能
-
效能核心
12
-
效能核心線程
12
0.1 GHz
效能核心基礎頻率
3.4 GHz
3.6 GHz
效能核心睿頻
4 GHz
4
能效核心
-
4
能效核心線程
-
0.8 GHz
能效核心基礎頻率
-
3.6 GHz
能效核心睿頻
-
4
總核心數
12
4
總線程數
12
100 MHz
匯流排頻率
-
1.0
倍頻
34
96 KB per core
一級緩存
96 K per core
2 MB shared
二級緩存
12 MB shared
6 MB shared
三級緩存
42 MB
否
非鎖頻
否
1
SMP
-
記憶體參數
DDR4-3200, DDR5, LPDDR5-4800
記憶體類型
LPDDR5x-8448
16 GB
最大記憶體大小
64 GB
最大記憶體通道數
8
38.4 GB/s
最大記憶體頻寬
135 GB/s
否
支援 ECC 記憶體
否
顯示卡參數
是
核心顯示晶片
是
-
顯示卡基本頻率
300 MHz
1000 MHz
顯示卡最大動態頻率
1250 MHz
256
著色器數量
1536
16
紋理單元
96
8
光柵處理單元
48
24
執行單元
6
功耗
80
0.3 TFLOPS
顯示卡效能
3.7 TFLOPS
AI加速
-
NPU
Qualcomm Hexagon NPU
-
理論性能
45 TOPS
