首頁 GPU比較 Intel Iris Xe MAX Graphics vs NVIDIA NVS 2100M

Intel Iris Xe MAX Graphics vs NVIDIA NVS 2100M

我們比較了兩個定位於移動平臺的GPU:4GB顯存的 Iris Xe MAX Graphics 與 512MB顯存的 NVS 2100M 。您將了解兩者在主要規格、基準測試、功耗等資訊中哪個GPU具有更好的性能。

主要差異

Intel Iris Xe MAX Graphics 的優勢
發布時間晚 10 年9 個月
最大睿頻1650MHz
更大的顯存 (4GB vs 512GB)
更大的顯存頻寬 (68.26GB/s vs 12.64GB/s)
多出752個渲染核心
NVIDIA NVS 2100M 的優勢
更低的TDP功耗(11W vs 25W)

評分

基準測試

FP32浮點性能
Iris Xe MAX Graphics +6397%
2.534 TFLOPS
NVS 2100M
0.039 TFLOPS
VS

基本信息

2020年10月
發佈日期
2010年1月
HD Graphics-M
產品系列
NVS Mobile
移動
類型
移動
PCIe 4.0 x8
總線介面
PCIe 2.0 x16

時鐘速度

300 MHz
基礎頻率
-
1650 MHz
最大睿頻
-
2133 MHz
顯存頻率
790 MHz

顯存

4GB
顯存容量
512MB
LPDDR4X
顯存類型
GDDR3
128bit
顯存位寬
64bit
68.26GB/s
顯存帶寬
12.64GB/s

渲染規格

-
-
-
-
GPU大核數量
2
768
流處理器數量
16
48
紋理單元
8
24
光柵單元
4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1024 KB
二級緩存
32 KB
16 MB
三級緩存
-

理論性能

39.60 GPixel/s
像素填充率
2.140 GPixel/s
79.20 GTexel/s
紋理填充率
4.280 GTexel/s
5.069 TFLOPS
FP16性能
-
2.534 TFLOPS
FP32性能
39.36 GFLOPS
633.6 GFLOPS
FP64性能
-

主機板設計

25W
功率消耗
11W
-
-
-
No outputs
輸出介面
No outputs
-
-
-

圖形處理器

DG1
GPU型號
GT218
-
-
-
Generation 12.1
架構
Tesla 2.0
Intel
晶片廠
TSMC
10 nm
晶片工藝
40 nm
未知
晶體管數量
2.6 億
95 mm²
晶片面積
57 mm²

圖形特性

12 (12_1)
DirectX
11.1 (10_1)
4.6
OpenGL
3.3
3.0
OpenCL
1.1
1.3
Vulkan
N/A
-
CUDA
1.2
6.4
Shader Model
4.1

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