首頁 手機平板SoC比較 Samsung Exynos 7884B vs HiSilicon Kirin 990 4G

Samsung Exynos 7884B vs HiSilicon Kirin 990 4G

我们比较了两个版本的手机 SoC:8 核心 1560MHz Samsung Exynos 7884B 与 8 核心 2860MHz HiSilicon Kirin 990 4G。您将了解哪款处理器在性能测试、关键规格、功耗等方面表现更优。

主要差異

Samsung Exynos 7884B 的優勢
更低的TDP功耗 (5W vs 6W)
HiSilicon Kirin 990 4G 的優勢
更好的显卡性能 FLOPS (0.6912 TFLOPS vs 0.0493 TFLOPS )
更大的内存带宽 (34.1GB/s vs 7.8GB/s)
更高的主頻 (2860MHz vs 1560MHz)
更现代的制程技术 (7nm vs 14nm)

評分

基準測試

AnTuTu 10
Samsung Exynos 7884B
194290
HiSilicon Kirin 990 4G +258%
695853
Geekbench 6 單核
Samsung Exynos 7884B
256
HiSilicon Kirin 990 4G +286%
990
Geekbench 6 多核
Samsung Exynos 7884B
810
HiSilicon Kirin 990 4G +292%
3179
FP32浮點性能
Samsung Exynos 7884B
49
HiSilicon Kirin 990 4G +1310%
691
VS

處理器

2x 1.6 GHz – Cortex-A73
6x 1.35 GHz – Cortex-A53
架構
2x 2.86 GHz – Cortex-A76
2x 2.09 GHz – Cortex-A76
4x 1.86 GHz – Cortex-A55
1560 MHz
主頻
2860 MHz
8
核心數
8
-
2级缓存
2 MB
14 nm
製程
7 nm
2
晶體管數
8
5 W
TDP
6 W
Samsung
製造廠
TSMC

圖形

Mali-G71 MP2
GPU 名稱
Mali-G76 MP16
770 MHz
GPU 頻率
600 MHz
2
執行單元
16
16
Shading units
36
4
最大容量
12
0.0493 TFLOPS
FLOPS
0.6912 TFLOPS
1.3
Vulkan 版本
1.3
2.0
OpenCL 版本
2.0
11
DirectX 版本
12

內存

LPDDR4
記憶體類型
LPDDR4X
1866 MHz
內存頻率
2133 MHz
2x 32 Bit
總線
4x 16 Bit
7.8 Gbit/s
最大帶寬
34.1 Gbit/s

AI

No
NPU
Da Vinci

多媒体

No
神經處理器 (NPU)
Da Vinci
eMMC 5.1
存儲類型
UFS 2.1, UFS 3.0
2220 x 1080
最大顯示分辨率
3360 x 1440
1x 21MP, 2x 16MP
最大相機分辨率
-
1K at 60FPS
錄影
4K at 60FPS
1080p at 60FPS
視頻播放
4K at 60FPS
H.264, H.265, VP8, VP9
視頻編解碼器
H.264, H.265, VC-1
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音頻編解碼器
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
-
Modem
Balong 765

連接性

LTE Cat. 12
4G支援
LTE Cat. 19
No
5G支援
No
Up to 600 Mbps
下載速度
Up to 1400 Mbps
Up to 150 Mbps
上傳速度
Up to 200 Mbps
5
Wi-Fi
6
5.0
藍牙
5.0
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo
Navigation
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo

其他信息

2019年9月
發佈日期
2019年10月
Low end
Flagship

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