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对比
Intel Core Ultra 9 288V vs Qualcomm Snapdragon X Plus
Intel Core Ultra 9 288V vs Qualcomm Snapdragon X Plus
VS
Intel Core Ultra 9 288V
Qualcomm Snapdragon X Plus
我们比较了两个笔记本版CPU:8核 3.3GHz Intel Core Ultra 9 288V 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Intel Core Ultra 9 288V 的优势
更强的显卡性能
更高规格的内存(8533 与 8448)
更大的最大内存带宽 (136GB/s 与 135GB/s)
更新的PCI Express 版本 (5.0 与 4.0)
更先进的制程 (3nm 与 4nm)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
更高的性能核基础频率 (3.4GHz 与 3.3GHz)
更大的三级缓存 (42MB 与 12MB)
更低的TDP功耗 (23W 与 37W)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Intel Core Ultra 9 288V
+47%
2189
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 多核
Intel Core Ultra 9 288V
+21%
14502
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 单核
Intel Core Ultra 9 288V
+16%
2728
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 多核
Intel Core Ultra 9 288V
11891
Qualcomm Snapdragon X Plus
+9%
12973
Cinebench 2024 单核
Intel Core Ultra 9 288V
+15%
126
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Blender
Intel Core Ultra 9 288V
135
Qualcomm Snapdragon X Plus
+166%
360
Intel Core Ultra 9 288V
VS
Qualcomm Snapdragon X Plus
基本参数
2024年09月
发行日期
2024年04月
Intel
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
x86-64
指令集
ARMv9
Lunar Lake
内核架构
Snapdragon X
288V
处理器编号
X1P-64-100
FCBGA-2833
插槽
Custom
Arc Graphics 140V
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
Ultra 9(Lunar Lake)
世代
Oryon
封装
3 nm
制程
4 nm
17 W
功耗
23 W
-
最大睿频功耗
80 W
100 °C
峰值工作温度
TSMC
晶圆厂
Samsung TSMC
-
晶圆尺寸
mm²
CPU性能
4
性能核
10
4
性能核线程
10
3.3 GHz
性能核基础频率
3.4 GHz
5.1 GHz
性能核睿频
3.4 GHz
4
能效核
-
4
能效核线程
-
3.3 GHz
能效核基础频率
-
3.7 GHz
能效核睿频
-
8
总核心数
10
8
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
33
倍频
34x
48 KB per core
零级缓存
-
192 KB per core
一级缓存
-
14 MB
二级缓存
-
12 MB
三级缓存
42 MB
否
非锁频
否
1
对称多处理
1
内存参数
LPDDR5X-8533
内存类型
LPDDR5X-8448
32 GB
最大内存大小
64 GB
2
最大内存通道数
8
136 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
600 MHz
显卡基本频率
500 MHz
2050 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
1024
着色器数量
1536
纹理单元
48
光栅处理单元
6
8
执行单元
6
4.2 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS
AI加速
Intel® AI Boost
NPU
-
48 TOPS
理论性能
-
其他
Intel Core Ultra 9 288V
官网链接
Qualcomm Snapdragon X Plus
5.0
PCIe版本
4.0
8
PCIe通道数
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