Startseite CPU-Vergleich Intel Core i9 13900H vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i9 13900H vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 14 Kerne 2.6GHz Intel Core i9 13900H und 10 Kerne 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.

Hauptunterschiede

Intel Core i9 13900H Vorteile
Neuere PCIe-Version (5.0 gegenüber 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus Vorteile
1 Jahre und 3 Monate später veröffentlicht
Höhere Grafikleistung
Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 6400
Größere Speicherbandbreite (135GB/s gegenüber 89.6GB/s)
Höhere Basistaktung (3.4GHz gegenüber 2.6GHz)
Größerer L3-Cache (42MB gegenüber 24MB)
Modernere Fertigungsprozesse (4nm gegenüber 10nm)
Niedriger TDP (23W gegenüber 45W)

Bewertung

Benchmark

Cinebench R23 Einzelkern
Intel Core i9 13900H +33%
1991
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 Mehrkern
Intel Core i9 13900H +53%
18260
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 Single-Core
Intel Core i9 13900H +13%
2674
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 Multi-Core
Intel Core i9 13900H +13%
14727
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core i9 13900H +5%
115
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Cinebench 2024 Multi Core
Intel Core i9 13900H +12%
951
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Blender
Intel Core i9 13900H
226
Qualcomm Snapdragon X Plus +59%
360
Passmark CPU Einzelkern
Intel Core i9 13900H +20%
3866
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU Mehrkern
Intel Core i9 13900H +35%
29283
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
VS

Grundlegende Parameter

Jan 2023
Veröffentlichungsdatum
Apr 2024
Intel
Hersteller
Qualcomm
Notebook
Typ
Notebook
x86-64
Befehlssatz
ARMv9
Raptor Lake
Kernarchitektur
Snapdragon X
i9-13900H
Prozessornummer
X1P-64-100
BGA-1744
Sockel
Custom
Iris Xe Graphics (96 EU)
Integrierte GPU
Qualcomm Adreno X1
-
Generation
Oryon

Package

10 nm
Herstellungsprozess
4 nm
35-45 W
Thermal Design Power (TDP)
23 W
115 W
Maximale Boost-TDP
80 W
100°C
Maximale Betriebstemperatur
-
Schmelzerei
Samsung TSMC
-
Die-Größe
mm²

CPU-Leistung

6
Performance-Kerne
10
12
Performance-Kern-Threads
10
2.6 GHz
Performance-Kern-Basistaktung
3.4 GHz
5.4 GHz
Performance-Kern-Turbotaktung
3.4 GHz
8
Energieeffiziente Kerne
-
8
Energieeffiziente Kerne Threads
-
1.9 GHz
Energieeffiziente Basistaktfrequenz
-
4.1 GHz
Energieeffiziente Turbo-Boost-Taktfrequenz
-
14
Gesamtzahl der Kerne
10
20
Gesamtzahl der Threads
10
100 MHz
Bus-Frequenz
100 MHz
26x
Multiplikator
34x
80 K per core
L1-Cache
-
2 MB per core
L2-Cache
-
24 MB shared
L3-Cache
42 MB
No
Freigeschalteter Multiplikator
No
-
SMP
1

Speicherparameter

DDR5-5200, DDR4-3200, LPDDR5-6400, LPDDR5x-6400, LPDDR4x-4267
Speichertypen
LPDDR5X-8448
96 GB
Maximale Speichergröße
64 GB
2
Maximale Anzahl an Speicherkanälen
8
89.6 GB/s
Maximale Speicherbandbreite
135 GB/s
No
ECC-Unterstützung
No

GPU-Parameter

true
Integrierte Grafik
true
300 MHz
GPU-Basistaktung
500 MHz
1500 MHz
Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU
1200 MHz
768
Shader-Einheiten
1536
48
Textur-Mapping-Einheiten
48
24
Raster Operations Pipelines
6
96
Ausführungseinheiten
6
15 W
Leistungsaufnahme
1.69 TFLOPS
GPU-Leistung
3.8 TFLOPS

Sonstiges

5.0
PCIe-Version
4.0
28
PCIe-Lanes

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