Startseite CPU-Vergleich Intel Core i9 13950HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i9 13950HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 24 Kerne 2.2GHz Intel Core i9 13950HX und 10 Kerne 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.

Hauptunterschiede

Intel Core i9 13950HX Vorteile
Neuere PCIe-Version (5.0 gegenüber 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus Vorteile
1 Jahre und 3 Monate später veröffentlicht
Höhere Grafikleistung
Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 5600
Größere Speicherbandbreite (135GB/s gegenüber 89.6GB/s)
Höhere Basistaktung (3.4GHz gegenüber 2.2GHz)
Größerer L3-Cache (42MB gegenüber 36MB)
Modernere Fertigungsprozesse (4nm gegenüber 10nm)
Niedriger TDP (23W gegenüber 55W)

Bewertung

Benchmark

Cinebench R23 Einzelkern
Intel Core i9 13950HX +39%
2073
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 Mehrkern
Intel Core i9 13950HX +154%
30317
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 Single-Core
Intel Core i9 13950HX +17%
2753
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 Multi-Core
Intel Core i9 13950HX +29%
16815
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core i9 13950HX +11%
122
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Cinebench 2024 Multi Core
Intel Core i9 13950HX +77%
1503
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Blender
Intel Core i9 13950HX +15%
416
Qualcomm Snapdragon X Plus
360
Passmark CPU Einzelkern
Intel Core i9 13950HX +26%
4060
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU Mehrkern
Intel Core i9 13950HX +105%
44476
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
VS

Grundlegende Parameter

Jan 2023
Veröffentlichungsdatum
Apr 2024
Intel
Hersteller
Qualcomm
Notebook
Typ
Notebook
x86-64
Befehlssatz
ARMv9
Raptor Lake
Kernarchitektur
Snapdragon X
i9-13950HX
Prozessornummer
X1P-64-100
BGA-1964
Sockel
Custom
UHD Graphics (32EU)
Integrierte GPU
Qualcomm Adreno X1
-
Generation
Oryon

Package

10 nm
Herstellungsprozess
4 nm
45-55 W
Thermal Design Power (TDP)
23 W
157 W
Maximale Boost-TDP
80 W
100°C
Maximale Betriebstemperatur
-
Schmelzerei
Samsung TSMC
-
Die-Größe
mm²

CPU-Leistung

8
Performance-Kerne
10
16
Performance-Kern-Threads
10
2.2 GHz
Performance-Kern-Basistaktung
3.4 GHz
5.5 GHz
Performance-Kern-Turbotaktung
3.4 GHz
16
Energieeffiziente Kerne
-
16
Energieeffiziente Kerne Threads
-
1.6 GHz
Energieeffiziente Basistaktfrequenz
-
4 GHz
Energieeffiziente Turbo-Boost-Taktfrequenz
-
24
Gesamtzahl der Kerne
10
32
Gesamtzahl der Threads
10
100 MHz
Bus-Frequenz
100 MHz
22x
Multiplikator
34x
80 K per core
L1-Cache
-
2 MB per core
L2-Cache
-
36 MB shared
L3-Cache
42 MB
Yes
Freigeschalteter Multiplikator
No
-
SMP
1

Speicherparameter

DDR5-5600, DDR4-3200
Speichertypen
LPDDR5X-8448
192 GB
Maximale Speichergröße
64 GB
2
Maximale Anzahl an Speicherkanälen
8
89.6 GB/s
Maximale Speicherbandbreite
135 GB/s
Yes
ECC-Unterstützung
No

GPU-Parameter

true
Integrierte Grafik
true
300 MHz
GPU-Basistaktung
500 MHz
1650 MHz
Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU
1200 MHz
256
Shader-Einheiten
1536
16
Textur-Mapping-Einheiten
48
8
Raster Operations Pipelines
6
32
Ausführungseinheiten
6
45 W
Leistungsaufnahme
0.74 TFLOPS
GPU-Leistung
3.8 TFLOPS

Sonstiges

5.0
PCIe-Version
4.0
20
PCIe-Lanes

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