Startseite CPU-Vergleich Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 vs Apple M3 Max

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 vs Apple M3 Max

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
VS
Apple M3 Max
Qualcomm Snapdragon X Elite (X1E-80-100)
Apple M3 Max
Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 12 Kerne 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 und 16 Kerne 4.05GHz Apple M3 Max . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.

Hauptunterschiede

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100 Vorteile
Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 6400
Niedriger TDP (23W gegenüber 40W)
Apple M3 Max Vorteile
Höhere Grafikleistung
Größere Speicherbandbreite (409.6GB/s gegenüber 135GB/s)
Höhere Basistaktung (4.05GHz gegenüber 3.4GHz)
Modernere Fertigungsprozesse (3nm gegenüber 4nm)

Bewertung

Benchmark

Cinebench R23 Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
1707
Apple M3 Max +15%
1968
Cinebench R23 Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
13257
Apple M3 Max +82%
24163
Geekbench 6 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
2790
Apple M3 Max +15%
3227
Geekbench 6 Multi-Core
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
14584
Apple M3 Max +45%
21173
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
124
Apple M3 Max +19%
148
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
937
Apple M3 Max +80%
1692
Passmark CPU Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
3356
Apple M3 Max +42%
4793
Passmark CPU Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
22810
Apple M3 Max +75%
40041
Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
VS
Apple M3 Max

Grundlegende Parameter

Okt 2023
Veröffentlichungsdatum
Okt 2023
Qualcomm
Hersteller
Apple
Notebook
Typ
Notebook
ARMv9
Befehlssatz
ARMv8
Snapdragon X
Kernarchitektur
Apple M3
X1E-80-100
Prozessornummer
-
Custom
Sockel
Apple M-Socket
Qualcomm Adreno X1
Integrierte GPU
Apple M3 Max GPU (38-core)

Package

-
Transistoren
92 billions
4 nm
Herstellungsprozess
3 nm
23 W
Thermal Design Power (TDP)
40 W
-
Maximale Betriebstemperatur
100°C

CPU-Leistung

12
Performance-Kerne
12
12
Performance-Kern-Threads
12
3.4 GHz
Performance-Kern-Basistaktung
4.05 GHz
4.0 GHz
Performance-Kern-Turbotaktung
4.05 GHz
-
Energieeffiziente Kerne
4
-
Energieeffiziente Kerne Threads
4
-
Energieeffiziente Basistaktfrequenz
2.75 GHz
-
Energieeffiziente Turbo-Boost-Taktfrequenz
2.57 GHz
12
Gesamtzahl der Kerne
16
12
Gesamtzahl der Threads
16
34x
Multiplikator
40x
-
L1-Cache
192 K per core
-
L2-Cache
32 MB shared
42 MB
L3-Cache
-
No
Freigeschalteter Multiplikator
No

Speicherparameter

LPDDR5x-8448
Speichertypen
LPDDR5-6400
64 GB
Maximale Speichergröße
128 GB
8
Maximale Anzahl an Speicherkanälen
8
135 GB/s
Maximale Speicherbandbreite
409.6 GB/s
No
ECC-Unterstützung
No

GPU-Parameter

true
Integrierte Grafik
true
500 MHz
GPU-Basistaktung
500 MHz
1200 MHz
Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU
1600 MHz
1536
Shader-Einheiten
5120
48
Textur-Mapping-Einheiten
320
6
Raster Operations Pipelines
160
6
Ausführungseinheiten
640
3.8 TFLOPS
GPU-Leistung
16.4 TFLOPS

KI-Beschleuniger

Qualcomm Hexagon NPU
NPU
-
45 TOPS
Theoretische Leistung
-

Sonstiges

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 80 100
Offizielle Website
-
4.0
PCIe-Version
4.0

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