Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 vs AMD Ryzen AI 9 HX 375

VS

Qualcomm Snapdragon X Elite (X1E-84-100)

AMD Ryzen AI 9 HX 375

Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 12 Kerne 3.8GHz Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 und 12 Kerne 2.0GHz AMD Ryzen AI 9 HX 375 . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.

Hauptunterschiede

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 Vorteile

Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 7500

Größere Speicherbandbreite (135GB/s gegenüber 89.6GB/s)

Höhere Basistaktung (3.8GHz gegenüber 2.0GHz)

Größerer L3-Cache (42MB gegenüber 24MB)

Niedriger TDP (23W gegenüber 54W)

AMD Ryzen AI 9 HX 375 Vorteile

9 Monate später veröffentlicht

Höhere Grafikleistung

Bewertung

Benchmark

Cinebench R23 Einzelkern

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

1790

AMD Ryzen AI 9 HX 375 +11%

1987

Cinebench R23 Mehrkern

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

14761

AMD Ryzen AI 9 HX 375 +47%

21822

Geekbench 6 Single-Core

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

2879

AMD Ryzen AI 9 HX 375

2867

Geekbench 6 Multi-Core

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +2%

15200

AMD Ryzen AI 9 HX 375

14855

Cinebench 2024 Single-Core

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 +4%

130

AMD Ryzen AI 9 HX 375

124

Cinebench 2024 Multi Core

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

1034

AMD Ryzen AI 9 HX 375 +9%

1130

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

VS

AMD Ryzen AI 9 HX 375

Grundlegende Parameter

Okt 2023

Veröffentlichungsdatum

Jul 2024

Qualcomm

Hersteller

Amd

Notebook

Typ

Notebook

ARMv9

Befehlssatz

x86-64

Snapdragon X

Kernarchitektur

Zen 5 (Strix Point)

X1E-84-100

Prozessornummer

-

Custom

Sockel

FP8

Qualcomm Adreno X1

Integrierte GPU

Radeon 890M

-

Generation

Ryzen AI 9 (Zen 5 (Strix Point))

Package

-

Transistoren

4 nm

Herstellungsprozess

4 nm

23 W

Thermal Design Power (TDP)

15-54 W

80 W

Maximale Boost-TDP

W

-

Maximale Betriebstemperatur

100 °C

-

Schmelzerei

TSMC

-

I/O-Prozessgröße

6 nm

CPU-Leistung

12

Performance-Kerne

4

12

Performance-Kern-Threads

8

3.8 GHz

Performance-Kern-Basistaktung

2.0 GHz

4.2 GHz

Performance-Kern-Turbotaktung

5.1 GHz

-

Energieeffiziente Kerne

8

-

Energieeffiziente Kerne Threads

16

-

Energieeffiziente Basistaktfrequenz

2.0 GHz

-

Energieeffiziente Turbo-Boost-Taktfrequenz

3.3 GHz

12

Gesamtzahl der Kerne

12

Gesamtzahl der Threads

24

-

Bus-Frequenz

100 MHz

38x

Multiplikator

20

-

L1-Cache

80 K per core

-

L2-Cache

1 MB per core

42 MB

L3-Cache

24 MB shared

No

Freigeschalteter Multiplikator

No

-

SMP

1

Speicherparameter

LPDDR5x-8448

Speichertypen

DDR5-5600, LPDDR5x-7500

64 GB

Maximale Speichergröße

256 GB

8

Maximale Anzahl an Speicherkanälen

2

135 GB/s

Maximale Speicherbandbreite

89.6 GB/s

No

ECC-Unterstützung

No

GPU-Parameter

true

Integrierte Grafik

true

500 MHz

GPU-Basistaktung

800 MHz

1500 MHz

Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU

2900 MHz

1536

Shader-Einheiten

1024

48

Textur-Mapping-Einheiten

64

6

Raster Operations Pipelines

40

6

Ausführungseinheiten

16

-

Leistungsaufnahme

15

-

Maximale Auflösung

7680x4320 - 60 Hz

4.6 TFLOPS

GPU-Leistung

5.94 TFLOPS

KI-Beschleuniger

Qualcomm Hexagon NPU

NPU

AMD Ryzen™ AI

45 TOPS

Theoretische Leistung

55 TOPS

Sonstiges

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100

Offizielle Website

AMD Ryzen AI 9 HX 375

4.0

PCIe-Version

4.0

-

PCIe-Lanes

16

Qualcomm Snapdragon X Elite X1E 84 100 vs AMD Ryzen AI 9 HX 375

Hauptunterschiede

Bewertung

Benchmark

Grundlegende Parameter

Package

CPU-Leistung

Speicherparameter

GPU-Parameter

KI-Beschleuniger

Sonstiges

Ähnliche CPU-Vergleiche

Verwandte Nachrichten