Startseite CPU-Vergleich Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i7 12650H

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core i7 12650H

Wir vergleichen zwei notebook-CPUs: 10 Kerne 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus und 10 Kerne 2.3GHz Intel Core i7 12650H . Sie werden erfahren, welcher Prozessor in Bezug auf Benchmark-Tests, Haupttechnische Daten, Leistungsaufnahme und andere Informationen besser abschneidet.

Hauptunterschiede

Qualcomm Snapdragon X Plus Vorteile
2 Jahre und 3 Monate später veröffentlicht
Höhere Grafikleistung
Höhere Spezifikation des Arbeitsspeichers 8448 gegenüber 5200
Größere Speicherbandbreite (135GB/s gegenüber 76.8GB/s)
Höhere Basistaktung (3.4GHz gegenüber 2.3GHz)
Größerer L3-Cache (42MB gegenüber 24MB)
Modernere Fertigungsprozesse (4nm gegenüber 10nm)
Niedriger TDP (23W gegenüber 45W)

Bewertung

Benchmark

Cinebench R23 Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core i7 12650H +18%
1766
Cinebench R23 Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core i7 12650H +18%
14100
Geekbench 6 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus +5%
2347
Intel Core i7 12650H
2226
Geekbench 6 Multi-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus +69%
12973
Intel Core i7 12650H
7645
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus +4%
109
Intel Core i7 12650H
104
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus +17%
845
Intel Core i7 12650H
722
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus +96%
360
Intel Core i7 12650H
183
Passmark CPU Einzelkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core i7 12650H +16%
3731
Passmark CPU Mehrkern
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core i7 12650H +13%
24516
VS

Grundlegende Parameter

Apr 2024
Veröffentlichungsdatum
Jan 2022
Qualcomm
Hersteller
Intel
Notebook
Typ
Notebook
ARMv9
Befehlssatz
x86-64
Snapdragon X
Kernarchitektur
Alder Lake-H
X1P-64-100
Prozessornummer
i7-12650H
Custom
Sockel
BGA-1744
Qualcomm Adreno X1
Integrierte GPU
Iris Xe Graphics (64EU)
Oryon
Generation
-

Package

4 nm
Herstellungsprozess
10 nm
23 W
Thermal Design Power (TDP)
35-45 W
80 W
Maximale Boost-TDP
-
Maximale Betriebstemperatur
100 °C
Samsung TSMC
Schmelzerei
-
mm²
Die-Größe
-

CPU-Leistung

10
Performance-Kerne
6
10
Performance-Kern-Threads
-
3.4 GHz
Performance-Kern-Basistaktung
2.3 GHz
3.4 GHz
Performance-Kern-Turbotaktung
4.7 GHz
-
Energieeffiziente Kerne
4
10
Gesamtzahl der Kerne
10
10
Gesamtzahl der Threads
16
100 MHz
Bus-Frequenz
100 MHz
34x
Multiplikator
23x
-
L1-Cache
80 K per core
-
L2-Cache
1280 K per core
42 MB
L3-Cache
24 MB shared
No
Freigeschalteter Multiplikator
No
1
SMP
-

Speicherparameter

LPDDR5X-8448
Speichertypen
DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-5200, LPDDR4x-4267
64 GB
Maximale Speichergröße
64 GB
8
Maximale Anzahl an Speicherkanälen
2
135 GB/s
Maximale Speicherbandbreite
76.8 GB/s
No
ECC-Unterstützung
-

GPU-Parameter

true
Integrierte Grafik
true
500 MHz
GPU-Basistaktung
300 MHz
1200 MHz
Maximale dynamische Taktfrequenz der GPU
1400 MHz
1536
Shader-Einheiten
512
48
Textur-Mapping-Einheiten
32
6
Raster Operations Pipelines
16
6
Ausführungseinheiten
64
Leistungsaufnahme
15 W
3.8 TFLOPS
GPU-Leistung
1.21 TFLOPS

Sonstiges

4.0
PCIe-Version
4.0
PCIe-Lanes
28

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