Inicio Comparación Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 9 185H

Qualcomm Snapdragon X Plus vs Intel Core Ultra 9 185H

Hemos comparado dos CPU portátil 10 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus con 16 núcleos 2.3GHz Intel Core Ultra 9 185H. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Qualcomm Snapdragon X Plus Ventajas de
Mayor especificación de memoria (8448 frente a 7467)
Ancho de banda de memoria mayor (135GB/s vs 120GB/s)
Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 2.3GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 24MB)
Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 7nm)
Menor TDP (23W vs 65W)
Intel Core Ultra 9 185H Ventajas de
Mejor rendimiento de tarjeta gráfica
Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Intel Core Ultra 9 185H +22%
1824
Cinebench R23 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Intel Core Ultra 9 185H +46%
17531
Geekbench 6 Núcleo Individual
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Intel Core Ultra 9 185H +4%
2447
Geekbench 6 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Intel Core Ultra 9 185H +4%
13618
Cinebench 2024 Single-Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Intel Core Ultra 9 185H
109
Cinebench 2024 Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Intel Core Ultra 9 185H +26%
1070
Blender
Qualcomm Snapdragon X Plus +12%
360
Intel Core Ultra 9 185H
319
Passmark CPU Núcleo único
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Intel Core Ultra 9 185H +17%
3755
Passmark CPU Multi Core
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
Intel Core Ultra 9 185H +28%
27826
VS

Parámetros generales

abr 2024
Fecha lanzamiento
dic 2023
Qualcomm
Fabricante
Intel
Portátil
Tipo
Portátil
ARMv9
Conjunto instrucciones
x86-64
Snapdragon X
Arquitectura núcleo
Meteor Lake
X1P-64-100
Núm. procesador
185H
Custom
Zócalo
FCBGA-2049
No
Gráficos integrados
No
Oryon
Generación
Ultra 9 (Meteor Lake)

Paquete

4 nm
Proceso Fabricación
7 nm
23 W
Consumo Energía
35 W
80 W
Máx. Consumo Turbo
115 W
Temp. Máxima
110°C
Samsung TSMC
Fundición
Intel
mm²
Tamaño del Die
-

Rendimiento CPU

10
Núcleos de rendimiento
6
10
Núcleos Rendimiento
12
3.4 GHz
Frec. Base Rendimiento
2.3 GHz
3.4 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
5.1 GHz
-
Núcleos Eficientes
10
-
Hilos Eficientes
10
-
Frec. Base Eficiente
1.8 GHz
-
Frec. Turbo Eficiente
3.8 GHz
10
Total Núcleos
16
10
Total Hilos
22
100 MHz
Frec. Bus
100 MHz
34x
Multiplicador
23x
-
Caché L1
112 K per core
-
Caché L2
2 MB per core
42 MB
Caché L3
24 MB shared
No
Multip. Desbloqueado
No
1
SMP
1

Parámetros memoria

LPDDR5X-8448
Tipos de memoria
LPDDR5-7467, LPDDR5x-7467, DDR5-5600
64 GB
Tamaño máx. memoria
96 GB
8
Canales máx. memoria
2
135 GB/s
Ancho de banda máx.
120 GB/s
No
Soporte memoria ECC
No

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
500 MHz
Frecuencia base GPU
-
1200 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
2350 MHz
1536
Unidades shader
128
48
Unidades de textura
8
6
Unidades ROP
4
6
Unidades de ejecución
8
Consumo de energía
-
-
Resolución máx.
7680x4320 - 60 Hz
3.8 TFLOPS
Rendimiento gráfico
5.76 TFLOPS

Varios

4.0
Versión PCIe
5.0
Carriles PCIe
28

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