Accueil Comparaison Intel Core i3 8145U vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i3 8145U vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Nous avons comparé deux CPU ordinateur portable : Intel Core i3 8145U avec 2 cœurs 2.1GHz et Qualcomm Snapdragon X Plus avec 10 cœurs 3.4GHz. Vous découvrirez quel processeur offre de meilleures performances dans les tests de référence, les spécifications clés, la consommation d'énergie et plus encore.

Différences Clés

Intel Core i3 8145U Avantages de
Consommation électrique inférieure (15W vs 23W)
Qualcomm Snapdragon X Plus Avantages de
Sorti avec un retard de 5 an(s) et 8 mois
Meilleures performances de la carte graphique
Spécification supérieure de mémoire (8448 vs 2400)
Bande passante mémoire plus élevée (135GB/s vs 37.5GB/s)
Version plus récente de PCIe (4.0 vs 3.0)
Fréquence de base plus élevée (3.4GHz vs 2.1GHz)
Taille de cache L3 plus grande (42MB vs 4MB)
Processus de fabrication plus moderne (4nm vs 14nm)

Score

Benchmark

Cinebench R23 Mono Coeur
Intel Core i3 8145U
800
Qualcomm Snapdragon X Plus +86%
1488
Cinebench R23 Multi Coeurs
Intel Core i3 8145U
1720
Qualcomm Snapdragon X Plus +593%
11931
Geekbench 6 Noyau Unique
Intel Core i3 8145U
1177
Qualcomm Snapdragon X Plus +99%
2347
Geekbench 6 Multi Core
Intel Core i3 8145U
2189
Qualcomm Snapdragon X Plus +492%
12973
Blender
Intel Core i3 8145U
24
Qualcomm Snapdragon X Plus +1400%
360
Passmark CPU Mono Coeur
Intel Core i3 8145U
2126
Qualcomm Snapdragon X Plus +50%
3208
Passmark CPU Multi Coeurs
Intel Core i3 8145U
3841
Qualcomm Snapdragon X Plus +464%
21685
VS

Paramètres généraux

août 2018
Date de sortie
avr. 2024
Intel
Fabricant
Qualcomm
Ordinateur portable
Type
Ordinateur portable
x86-64
Ensemble d'instructions
ARMv9
Whiskey Lake
Architecture de cœur
Snapdragon X
i3-8145U
Numéro de processeur
X1P-64-100
BGA-1528
Socket
Custom
UHD Graphics 620
Graphiques intégrés
Qualcomm Adreno X1
-
Génération
Oryon

Paquet

14 nm
Processus de fabrication
4 nm
15 W
Consommation d'énergie
23 W
-
Consommation d'énergie Turbo max
80 W
100 °C
Température de fonctionnement maximale
-
Fonderie
Samsung TSMC
-
Taille du Die
mm²

Performance du CPU

2
Cœurs de performance
10
4
Threads de cœur de performance
10
2.1 GHz
Fréquence de base (P)
3.4 GHz
3.9 GHz
Fréquence Turbo du cœur de performance
3.4 GHz
2
Nombre total de cœurs
10
4
Nombre total de threads
10
100 MHz
Fréquence du bus
100 MHz
21x
Multiplicateur
34x
64 K per core
Cache L1
-
256 K per core
Cache L2
-
4 MB shared
Cache L3
42 MB
No
Multiplicateur déverrouillé
No
-
SMP
1

Paramètres de mémoire

DDR4-2400, LPDDR3-2133
Types de mémoire
LPDDR5X-8448
64 GB
Taille max de mémoire
64 GB
2
Canaux de mémoire max
8
37.5 GB/s
Bande passante max de mémoire
135 GB/s
No
Support de mémoire ECC
No

Paramètres de la carte graphique

true
Graphiques intégrés
true
300 MHz
Fréquence de base du GPU
500 MHz
1000 MHz
Fréquence maximale dynamique du GPU
1200 MHz
192
Unités de shader
1536
24
Unités de texture
48
3
Unités d'opération de tramage
6
24
Unités d'exécution
6
15 W
Consommation d'énergie
4096x2304 - 60 Hz
Résolution max
-
0.38 TFLOPS
Performance graphique
3.8 TFLOPS

Divers

3.0
Version PCIe
4.0
16
Voies PCIe
SSE4.1, SSE4.2, AVX-2
Ensemble d'instructions étendu
-

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