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手机平板SoC对比
HiSilicon Kirin 710F vs Qualcomm Snapdragon 855
HiSilicon Kirin 710F vs Qualcomm Snapdragon 855
VS
HiSilicon Kirin 710F
Qualcomm Snapdragon 855
我们比较了两个手机版SoC:8核 2200MHz HiSilicon Kirin 710F 与 8核 2840MHz Qualcomm Snapdragon 855 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
HiSilicon Kirin 710F 的优势
更低的功耗 (5W 与 6W)
Qualcomm Snapdragon 855 的优势
更高的显卡性能FLOPS (0.8985 TFLOPS 与 0.128 TFLOPS )
更高的主频 (2840MHz 与 2200MHz)
更先进的制程 (7nm 与 12nm)
评分
基准测试
安兔兔 10
HiSilicon Kirin 710F
251754
Qualcomm Snapdragon 855
+135%
592031
Geekbench 6 单核
HiSilicon Kirin 710F
355
Qualcomm Snapdragon 855
+164%
939
Geekbench 6 多核
HiSilicon Kirin 710F
1255
Qualcomm Snapdragon 855
+127%
2855
FP32浮点性能
HiSilicon Kirin 710F
128
Qualcomm Snapdragon 855
+601%
898
HiSilicon Kirin 710F
VS
Qualcomm Snapdragon 855
处理器
4x 2.2 GHz – Cortex-A73
4x 1.7 GHz – Cortex-A53
架构
1x 2.84 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
3x 2.42 GHz – Cortex-A76 (Kryo 485 Gold)
4x 1.8 GHz – Cortex-A55 (Kryo 485 Silver)
2200 MHz
主频
2840 MHz
8
核心数
8
ARMv8-A
指令集
ARMv8.2-A
512 KB
2级缓存
1 MB
0
3级缓存
0
12 nm
制程
7 nm
5.5
晶体管数
6.7
5 W
TDP功耗
6 W
TSMC
制造厂
TSMC
显卡
Mali-G51 MP4
显卡型号
Adreno 640
1000 MHz
主频
585 MHz
4
执行单元
2
16
着色单元
384
8
最大容量
16
0.128 TFLOPS
FLOPS
0.8985 TFLOPS
1.3
Vulkan 版本
1.1
2.0
OpenCL 版本
2.0
12
DirectX 版本
12.1
内存
LPDDR4X
内存类型
LPDDR4X
1866 MHz
内存频率
2133 MHz
2x 32 Bit
总线
4x 16 Bit
-
最大带宽
34.13 Gbit/s
多媒体
No
神经网络处理器 (NPU)
Hexagon 690
eMMC 5.1, UFS 2.1
存储类型
UFS 3.0
2340 x 1080
最大显示分辨率
3840 x 2160
1x 48MP, 2x 24MP
最大相机分辨率
1x 192MP, 2x 22MP
1K at 30FPS
视频拍摄
4K at 120FPS
1080p at 60FPS
视频播放
8K at 30FPS, 4K at 120FPS
H.264, H.265, VP8, VP9
视频编码
H.264, H.265, VP8, VP9
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AAC, AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
-
无线模块
X24 LTE, X50 5G
网络
LTE Cat. 12
4G网络
LTE Cat. 20
No
5G网络
Yes
Up to 600 Mbps
下载速度
Up to 5000 Mbps
Up to 150 Mbps
上传速度
Up to 1240 Mbps
4
Wi-Fi
6
4.2
蓝牙
5.0
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
其他信息
2019年1月
发行日期
2018年12月
Mid range
级别
Flagship
-
型号
SM8150
-
官网链接
Qualcomm Snapdragon 855
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