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手机平板SoC对比
Qualcomm Snapdragon 450 vs HiSilicon Kirin 990 4G
Qualcomm Snapdragon 450 vs HiSilicon Kirin 990 4G
VS
Qualcomm Snapdragon 450
HiSilicon Kirin 990 4G
我们比较了两个手机版SoC:8核 1800MHz Qualcomm Snapdragon 450 与 8核 2860MHz HiSilicon Kirin 990 4G 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Qualcomm Snapdragon 450 的优势
更低的功耗 (3W 与 6W)
HiSilicon Kirin 990 4G 的优势
更高的显卡性能FLOPS (0.6912 TFLOPS 与 0.1152 TFLOPS )
更大的最大带宽 (34.1Gbit/s 与 7.46Gbit/s)
更高的主频 (2860MHz 与 1800MHz)
更先进的制程 (7nm 与 14nm)
发布时间晚2年4个月
评分
基准测试
安兔兔 10
Qualcomm Snapdragon 450
153310
HiSilicon Kirin 990 4G
+353%
695853
Geekbench 6 单核
Qualcomm Snapdragon 450
169
HiSilicon Kirin 990 4G
+485%
990
Geekbench 6 多核
Qualcomm Snapdragon 450
763
HiSilicon Kirin 990 4G
+316%
3179
FP32浮点性能
Qualcomm Snapdragon 450
115
HiSilicon Kirin 990 4G
+500%
691
Qualcomm Snapdragon 450
VS
HiSilicon Kirin 990 4G
处理器
8x 1.8 GHz – Cortex-A53
架构
2x 2.86 GHz – Cortex-A76
2x 2.09 GHz – Cortex-A76
4x 1.86 GHz – Cortex-A55
1800 MHz
主频
2860 MHz
8
核心数
8
ARMv8-A
指令集
ARMv8.2-A
-
2级缓存
2 MB
14 nm
制程
7 nm
2
晶体管数
8
3 W
TDP功耗
6 W
Samsung
制造厂
TSMC
显卡
Adreno 506
显卡型号
Mali-G76 MP16
600 MHz
主频
600 MHz
1
执行单元
16
96
着色单元
36
4
最大容量
12
0.1152 TFLOPS
FLOPS
0.6912 TFLOPS
1.0
Vulkan 版本
1.3
2.0
OpenCL 版本
2.0
11
DirectX 版本
12
内存
LPDDR3
内存类型
LPDDR4X
933 MHz
内存频率
2133 MHz
1x 32 Bit
总线
4x 16 Bit
7.46 Gbit/s
最大带宽
34.1 Gbit/s
多媒体
Hexagon 546
神经网络处理器 (NPU)
Da Vinci
eMMC 5.1
存储类型
UFS 2.1, UFS 3.0
1920 x 1200
最大显示分辨率
3360 x 1440
1x 21MP, 2x 13MP
最大相机分辨率
-
1K at 60FPS
视频拍摄
4K at 60FPS
1080p at 60FPS
视频播放
4K at 60FPS
H.264, H.265, VP9
视频编码
H.264, H.265, VC-1
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
音频编码
AIFF, CAF, MP3, MP4, WAV
X9
无线模块
Balong 765
网络
LTE Cat. 7
4G网络
LTE Cat. 19
No
5G网络
No
Up to 300 Mbps
下载速度
Up to 1400 Mbps
Up to 150 Mbps
上传速度
Up to 200 Mbps
5
Wi-Fi
6
4.1
蓝牙
5.0
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo, QZSS, SBAS
导航定位
GPS, GLONASS, Beidou, Galileo
其他信息
2017年6月
发行日期
2019年10月
Low end
级别
Flagship
SDM450
型号
-
Qualcomm Snapdragon 450
官网链接
HiSilicon Kirin 990 4G
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