GeForce GT 1030 DDR4 vs Arc A580
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มเดสก์ท็อป 2GB VRAM GeForce GT 1030 DDR4 และ 8GB VRAM Arc A580 เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
GeForce GT 1030 DDR4 ข้อดีของ
TDP ต่ำกว่า (20W vs 175W)
Arc A580 ข้อดีของ
เผยแพร่ล่าช้า 5 ปี และ 7 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 45% (2000MHz vs 1379MHz)
VRAM เพิ่มเติม (8GB vs 2GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (512.0GB/s vs 16.80GB/s)
2688 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
คะแนน
เบนช์มาร์ค
FP32 (float)
GeForce GT 1030 DDR4
1059
Arc A580
+1060%
12290
3DMark Time Spy
GeForce GT 1030 DDR4
638
Arc A580
+1601%
10855
3DMark Time Spy Extreme
GeForce GT 1030 DDR4
177
Arc A580
+2829%
5186
Blender
GeForce GT 1030 DDR4
96
Arc A580
+1920%
1940
Shadow of the Tomb Raider 2160p
GeForce GT 1030 DDR4
2
Arc A580
+1250%
27
เงาแห่งหีบสมบัติ Tomb Raider 1440p
GeForce GT 1030 DDR4
7
Arc A580
+542%
45
เงาแห่งหีบสมบัติ Tomb Raider 1080p
GeForce GT 1030 DDR4
12
Arc A580
+483%
70
การ์ดกราฟิก
มี.ค. 2561
วันที่เปิดตัว
ต.ค. 2566
GeForce 10
รุ่น
Alchemist(Arc 5)
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
ชนิด
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
PCIe 3.0 x4
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 4.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
1152 MHz
นาฬิกาฐาน
1700 MHz
1379 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
2000 MHz
1050 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
2000 MHz
หน่วยความจำ
2GB
ขนาดหน่วยความจำ
8GB
DDR4
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
64bit
บัสหน่วยความจำ
256bit
16.80GB/s
แบนด์วิดท์
512.0GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
3
จำนวน SM
-
384
หน่วยการตีสี
3072
24
TMUs
192
16
ROPs
96
-
คอร์เทนเซอร์
384
-
คอร์ RT
24
48 KB (per SM)
แคช L1
-
512 KB
แคช L2
8 MB
ประสิทธิภาพทฤษฎี
22.06 GPixel/s
อัตราพิกเซล
192.0 GPixel/s
33.10 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
384.0 GTexel/s
16.55 GFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
24.58 TFLOPS
1059 GFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
12.29 TFLOPS
33.10 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
1.536 TFLOPS
การออกแบบบอร์ด
20W
TDP
175W
200 W
PSU ที่แนะนำ
450 W
1x DVI
1x HDMI 2.0
ออก
1x HDMI 2.13x DisplayPort 2.0
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
2x 8-pin
ตัวประมวลผลกราฟิก
GP108
ชื่อ GPU
DG2-512
GP108-310-A1
รุ่น GPU
ACM-G10
Pascal
สถาปัตยกรรม
Generation 12.7
Samsung
โรงหล่อ
TSMC
14 nm
ขนาดกระบวนการ
6 nm
18 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
217 ล้าน
74 mm²
ขนาด Die
406 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 (12_1)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
6.1
CUDA
-
6.4
โมเดลเฉด
6.6
