GeForce GT 1030 DDR4 vs Arc A770
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มเดสก์ท็อป 2GB VRAM GeForce GT 1030 DDR4 และ 16GB VRAM Arc A770 เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
GeForce GT 1030 DDR4 ข้อดีของ
TDP ต่ำกว่า (20W vs 225W)
Arc A770 ข้อดีของ
เผยแพร่ล่าช้า 4 ปี และ 7 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 74% (2400MHz vs 1379MHz)
VRAM เพิ่มเติม (16GB vs 2GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (512.0GB/s vs 16.80GB/s)
3712 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
คะแนน
เบนช์มาร์ค
FP32 (float)
GeForce GT 1030 DDR4
1059
Arc A770
+1756%
19660
3DMark Time Spy
GeForce GT 1030 DDR4
638
Arc A770
+2025%
13560
3DMark Time Spy Extreme
GeForce GT 1030 DDR4
177
Arc A770
+3586%
6525
Blender
GeForce GT 1030 DDR4
96
Arc A770
+2287%
2292
Shadow of the Tomb Raider 2160p
GeForce GT 1030 DDR4
2
Arc A770
+2150%
45
เงาแห่งหีบสมบัติ Tomb Raider 1440p
GeForce GT 1030 DDR4
7
Arc A770
+1042%
80
เงาแห่งหีบสมบัติ Tomb Raider 1080p
GeForce GT 1030 DDR4
12
Arc A770
+775%
105
การ์ดกราฟิก
มี.ค. 2561
วันที่เปิดตัว
ต.ค. 2565
GeForce 10
รุ่น
Alchemist(Arc 7)
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
ชนิด
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
PCIe 3.0 x4
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 4.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
1152 MHz
นาฬิกาฐาน
2100 MHz
1379 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
2400 MHz
1050 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
2000 MHz
หน่วยความจำ
2GB
ขนาดหน่วยความจำ
16GB
DDR4
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
64bit
บัสหน่วยความจำ
256bit
16.80GB/s
แบนด์วิดท์
512.0GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
3
จำนวน SM
-
384
หน่วยการตีสี
4096
24
TMUs
256
16
ROPs
128
-
คอร์เทนเซอร์
512
-
คอร์ RT
32
48 KB (per SM)
แคช L1
-
512 KB
แคช L2
16 MB
ประสิทธิภาพทฤษฎี
22.06 GPixel/s
อัตราพิกเซล
307.2 GPixel/s
33.10 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
614.4 GTexel/s
16.55 GFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
39.32 TFLOPS
1059 GFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
19.66 TFLOPS
33.10 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
2.458 TFLOPS
การออกแบบบอร์ด
20W
TDP
225W
200 W
PSU ที่แนะนำ
550 W
1x DVI
1x HDMI 2.0
ออก
1x HDMI 2.13x DisplayPort 2.0
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
1x 6-pin + 1x 8-pin
ตัวประมวลผลกราฟิก
GP108
ชื่อ GPU
DG2-512
GP108-310-A1
รุ่น GPU
ACM-G10
Pascal
สถาปัตยกรรม
Generation 12.7
Samsung
โรงหล่อ
TSMC
14 nm
ขนาดกระบวนการ
6 nm
18 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
217 ล้าน
74 mm²
ขนาด Die
406 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 (12_1)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
6.1
CUDA
-
6.4
โมเดลเฉด
6.6
