บ้าน เปรียบเทียบ GPU NVIDIA GeForce GTX 950 Low Power vs NVIDIA GeForce RTX 3050 4 GB

NVIDIA GeForce GTX 950 Low Power vs NVIDIA GeForce RTX 3050 4 GB

เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มเดสก์ท็อป 2GB VRAM GeForce GTX 950 Low Power และ 4GB VRAM GeForce RTX 3050 4 GB เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ

ความแตกต่างหลัก

NVIDIA GeForce GTX 950 Low Power ประโยชน์ของ
TDP ต่ำกว่า (75W vs 90W)
NVIDIA GeForce RTX 3050 4 GB ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 5 ปี และ 10 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 46% (1740MHz vs 1190MHz)
VRAM เพิ่มเติม (4GB vs 2GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (192.0GB/s vs 105.8GB/s)
1280 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม

คะแนน

มาตรฐาน

FP32 (float)
GeForce GTX 950 Low Power
1.828 TFLOPS
GeForce RTX 3050 4 GB +289%
7.127 TFLOPS
Blender
GeForce GTX 950 Low Power
179
GeForce RTX 3050 4 GB +753%
1528
OctaneBench
GeForce GTX 950 Low Power
44
GeForce RTX 3050 4 GB +297%
175

การ์ดกราฟิก

มี.ค. 2559
วันที่เปิดตัว
ม.ค. 2565
GeForce 900
รุ่น
GeForce 30
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
ชนิด
คอมพิวเตอร์ตั้งโต๊ะ
PCIe 3.0 x16
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 4.0 x8

ความเร็วนาฬิกา

1026 MHz
นาฬิกาฐาน
1545 MHz
1190 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1740 MHz
1653 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1500 MHz

หน่วยความจำ

2GB
ขนาดหน่วยความจำ
4GB
GDDR5
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
128bit
บัสหน่วยความจำ
128bit
105.8GB/s
แบนด์วิดท์
192.0GB/s

การตั้งค่าการเรนเดอร์

-
-
-
-
จำนวน SM
16
768
หน่วยการตีสี
2048
48
TMUs
64
32
ROPs
32
-
คอร์เทนเซอร์
64
-
คอร์ RT
16
48 KB (per SMM)
แคช L1
128 KB (per SM)
1024 KB
แคช L2
2 MB
-
-
-

ประสิทธิภาพทฤษฎี

38.08 GPixel/s
อัตราพิกเซล
55.68 GPixel/s
57.12 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
111.4 GTexel/s
-
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
7.127 TFLOPS
1.828 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
7.127 TFLOPS
57.12 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
111.4 GFLOPS

การออกแบบบอร์ด

75W
TDP
90W
250 W
PSU ที่แนะนำ
250 W
1x DVI 1x HDMI 2.0 3x DisplayPort 1.4a
ออก
1x HDMI 2.1 3x DisplayPort 1.4a
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
1x 6-pin

ตัวประมวลผลกราฟิก

GM206
ชื่อ GPU
GA107
GM206-251-A1
รุ่น GPU
GA107-140-A1
Maxwell 2.0
สถาปัตยกรรม
Ampere
TSMC
โรงหล่อ
Samsung
28 nm
ขนาดกระบวนการ
8 nm
29.4 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
87 ล้าน
228 mm²
ขนาด Die
200 mm²

คุณสมบัติกราฟิก

12 (12_1)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
5.2
CUDA
8.6
6.4
โมเดลเฉด
6.7
© 2025 - TopCPU.net