บ้าน เปรียบเทียบ GPU NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 vs NVIDIA RTX A1000 Mobile 6 GB

NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 vs NVIDIA RTX A1000 Mobile 6 GB

เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ ตลาดโปรแอสชันแนล 4GB VRAM Quadro T1000 Mobile GDDR6 และ 6GB VRAM RTX A1000 Mobile 6 GB เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ

ความแตกต่างหลัก

NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 ประโยชน์ของ
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 45% (1650MHz vs 1140MHz)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (192.0GB/s vs 132.0GB/s)
TDP ต่ำกว่า (50W vs 60W)
NVIDIA RTX A1000 Mobile 6 GB ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 1 ปี และ 9 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
VRAM เพิ่มเติม (6GB vs 4GB)
1664 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม

คะแนน

มาตรฐาน

FP32 (float)
Quadro T1000 Mobile GDDR6
2.957 TFLOPS
RTX A1000 Mobile 6 GB +97%
5.837 TFLOPS
3DMark Time Spy
Quadro T1000 Mobile GDDR6
2934
RTX A1000 Mobile 6 GB +75%
5144
3DMark Time Spy Extreme
Quadro T1000 Mobile GDDR6
1439
RTX A1000 Mobile 6 GB +56%
2250
Blender
Quadro T1000 Mobile GDDR6
386
RTX A1000 Mobile 6 GB +163%
1017

การ์ดกราฟิก

มิ.ย. 2563
วันที่เปิดตัว
มี.ค. 2565
Quadro Mobile
รุ่น
Quadro Ampere-M
อาชีพ
ชนิด
อาชีพ
PCIe 3.0 x16
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 4.0 x8

ความเร็วนาฬิกา

1395 MHz
นาฬิกาฐาน
652 MHz
1650 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1140 MHz
1500 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1375 MHz

หน่วยความจำ

4GB
ขนาดหน่วยความจำ
6GB
GDDR6
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
128bit
บัสหน่วยความจำ
96bit
192.0GB/s
แบนด์วิดท์
132.0GB/s

การตั้งค่าการเรนเดอร์

-
-
-
14
จำนวน SM
20
896
หน่วยการตีสี
2560
56
TMUs
80
32
ROPs
32
-
คอร์เทนเซอร์
80
-
คอร์ RT
20
64 KB (per SM)
แคช L1
128 KB (per SM)
1024 KB
แคช L2
2 MB
-
-
-

ประสิทธิภาพทฤษฎี

52.80 GPixel/s
อัตราพิกเซล
36.48 GPixel/s
92.40 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
91.20 GTexel/s
5.914 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
5.837 TFLOPS
2.957 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
5.837 TFLOPS
92.40 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
91.20 GFLOPS

การออกแบบบอร์ด

50W
TDP
60W
-
-
-
No outputs
ออก
Portable Device Dependent
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
None

ตัวประมวลผลกราฟิก

TU117B
ชื่อ GPU
GA107
N19P-Q1-A1
รุ่น GPU
-
Turing
สถาปัตยกรรม
Ampere
TSMC
โรงหล่อ
Samsung
12 nm
ขนาดกระบวนการ
8 nm
47 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
87 ล้าน
200 mm²
ขนาด Die
200 mm²

คุณสมบัติกราฟิก

12 (12_1)
DirectX
12 Ultimate (12_2)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
7.5
CUDA
8.6
6.6
โมเดลเฉด
6.7
© 2025 - TopCPU.net