NVIDIA RTX 3500 Mobile Ada Generation vs NVIDIA GeForce GTX 1050 Ti Max Q
เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ แพลตฟอร์มมือถือ 12GB VRAM RTX 3500 Mobile Ada Generation และ 4GB VRAM GeForce GTX 1050 Ti Max Q เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ
ความแตกต่างหลัก
NVIDIA RTX 3500 Mobile Ada Generation ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 5 ปี และ 2 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 20% (1545MHz vs 1291MHz)
VRAM เพิ่มเติม (12GB vs 4GB)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (432.0GB/s vs 112.1GB/s)
4352 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
NVIDIA GeForce GTX 1050 Ti Max Q ประโยชน์ของ
TDP ต่ำกว่า (75W vs 100W)
คะแนน
มาตรฐาน
FP32 (float)
RTX 3500 Mobile Ada Generation
+697%
15.82 TFLOPS
GeForce GTX 1050 Ti Max Q
1.983 TFLOPS
3DMark Time Spy
RTX 3500 Mobile Ada Generation
+499%
13251
GeForce GTX 1050 Ti Max Q
2212
3DMark Time Spy Extreme
RTX 3500 Mobile Ada Generation
+546%
6570
GeForce GTX 1050 Ti Max Q
1016
Blender
RTX 3500 Mobile Ada Generation
+1476%
4383
GeForce GTX 1050 Ti Max Q
278
การ์ดกราฟิก
มี.ค. 2566
วันที่เปิดตัว
ม.ค. 2561
Quadro Ada-M
รุ่น
GeForce 10 Mobile
อุปกรณ์เคลื่อนที่
ชนิด
อุปกรณ์เคลื่อนที่
PCIe 4.0 x16
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 3.0 x16
ความเร็วนาฬิกา
1110 MHz
นาฬิกาฐาน
1152 MHz
1545 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1291 MHz
2250 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1752 MHz
หน่วยความจำ
12GB
ขนาดหน่วยความจำ
4GB
GDDR6
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR5
192bit
บัสหน่วยความจำ
128bit
432.0GB/s
แบนด์วิดท์
112.1GB/s
การตั้งค่าการเรนเดอร์
-
-
-
40
จำนวน SM
6
5120
หน่วยการตีสี
768
160
TMUs
48
64
ROPs
32
160
คอร์เทนเซอร์
-
40
คอร์ RT
-
128 KB (per SM)
แคช L1
48 KB (per SM)
48 MB
แคช L2
1024 KB
-
-
-
ประสิทธิภาพทฤษฎี
98.88 GPixel/s
อัตราพิกเซล
41.31 GPixel/s
247.2 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
61.97 GTexel/s
15.82 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
30.98 GFLOPS
15.82 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
1.983 TFLOPS
247.2 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
61.97 GFLOPS
การออกแบบบอร์ด
100W
TDP
75W
-
-
-
Portable Device Dependent
ออก
No outputs
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
None
ตัวประมวลผลกราฟิก
AD104
ชื่อ GPU
GP107
-
รุ่น GPU
N17P-G1-A1
Ada Lovelace
สถาปัตยกรรม
Pascal
TSMC
โรงหล่อ
Samsung
5 nm
ขนาดกระบวนการ
14 nm
358 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
33 ล้าน
294 mm²
ขนาด Die
132 mm²
คุณสมบัติกราฟิก
12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 (12_1)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
8.9
CUDA
6.1
6.7
โมเดลเฉด
6.4
