บ้าน เปรียบเทียบ GPU NVIDIA RTX A1000 Mobile 6 GB vs NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6

NVIDIA RTX A1000 Mobile 6 GB vs NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6

เราเปรียบเทียบ การ์ดกราฟิกสองแบบ ตลาดโปรแอสชันแนล 6GB VRAM RTX A1000 Mobile 6 GB และ 4GB VRAM Quadro T1000 Mobile GDDR6 เพื่อดูว่าการ์ดกราฟิกไหนมีประสิทธิภาพที่ดีกว่าในข้อมูลสเปคต่างๆ การทดสอบเบนช์มาร์ก การใช้พลังงาน ฯลฯ

ความแตกต่างหลัก

NVIDIA RTX A1000 Mobile 6 GB ประโยชน์ของ
เผยแพร่ล่าช้า 1 ปี และ 9 เดือน หลังจากกำหนดเวลา
VRAM เพิ่มเติม (6GB vs 4GB)
1664 เส้นทางการเรนเดอร์เพิ่มเติม
NVIDIA Quadro T1000 Mobile GDDR6 ประโยชน์ของ
นาฬิกาเพิ่มพูน เพิ่มขึ้น 45% (1650MHz vs 1140MHz)
ประสิทธิภาพ VRAM สูงกว่า (192.0GB/s vs 132.0GB/s)
TDP ต่ำกว่า (50W vs 60W)

คะแนน

มาตรฐาน

FP32 (float)
RTX A1000 Mobile 6 GB +97%
5.837 TFLOPS
Quadro T1000 Mobile GDDR6
2.957 TFLOPS
3DMark Time Spy
RTX A1000 Mobile 6 GB +75%
5144
Quadro T1000 Mobile GDDR6
2934
3DMark Time Spy Extreme
RTX A1000 Mobile 6 GB +56%
2250
Quadro T1000 Mobile GDDR6
1439
Blender
RTX A1000 Mobile 6 GB +163%
1017
Quadro T1000 Mobile GDDR6
386

การ์ดกราฟิก

มี.ค. 2565
วันที่เปิดตัว
มิ.ย. 2563
Quadro Ampere-M
รุ่น
Quadro Mobile
อาชีพ
ชนิด
อาชีพ
PCIe 4.0 x8
อินเตอร์เฟซบัส
PCIe 3.0 x16

ความเร็วนาฬิกา

652 MHz
นาฬิกาฐาน
1395 MHz
1140 MHz
นาฬิกาเพิ่มพูน
1650 MHz
1375 MHz
นาฬิกาหน่วยความจำ
1500 MHz

หน่วยความจำ

6GB
ขนาดหน่วยความจำ
4GB
GDDR6
ประเภทหน่วยความจำ
GDDR6
96bit
บัสหน่วยความจำ
128bit
132.0GB/s
แบนด์วิดท์
192.0GB/s

การตั้งค่าการเรนเดอร์

-
-
-
20
จำนวน SM
14
2560
หน่วยการตีสี
896
80
TMUs
56
32
ROPs
32
80
คอร์เทนเซอร์
-
20
คอร์ RT
-
128 KB (per SM)
แคช L1
64 KB (per SM)
2 MB
แคช L2
1024 KB
-
-
-

ประสิทธิภาพทฤษฎี

36.48 GPixel/s
อัตราพิกเซล
52.80 GPixel/s
91.20 GTexel/s
อัตราพื้นผิว
92.40 GTexel/s
5.837 TFLOPS
FP16 (ครึ่งหนึ่ง)
5.914 TFLOPS
5.837 TFLOPS
FP32 (ทศนิยม)
2.957 TFLOPS
91.20 GFLOPS
FP64 (ทศนิยมคู่)
92.40 GFLOPS

การออกแบบบอร์ด

60W
TDP
50W
-
-
-
Portable Device Dependent
ออก
No outputs
None
ตัวเชื่อมต่อไฟฟ้า
None

ตัวประมวลผลกราฟิก

GA107
ชื่อ GPU
TU117B
-
รุ่น GPU
N19P-Q1-A1
Ampere
สถาปัตยกรรม
Turing
Samsung
โรงหล่อ
TSMC
8 nm
ขนาดกระบวนการ
12 nm
87 ล้าน
ทรานซิสเตอร์
47 ล้าน
200 mm²
ขนาด Die
200 mm²

คุณสมบัติกราฟิก

12 Ultimate (12_2)
DirectX
12 (12_1)
4.6
OpenGL
4.6
3.0
OpenCL
3.0
1.3
Vulkan
1.3
8.6
CUDA
7.5
6.7
โมเดลเฉด
6.6
© 2025 - TopCPU.net