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对比
Intel Processor N200 vs Qualcomm Snapdragon X Plus
Intel Processor N200 vs Qualcomm Snapdragon X Plus
VS
Intel Processor N200
Qualcomm Snapdragon X Plus
我们比较了两个笔记本版CPU:4核 1.8GHz Intel Processor N200 与 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您将了解两者在基准测试、主要规格、功耗等信息中哪个处理器具有更好的性能。
主要差异
Intel Processor N200 的优势
更低的TDP功耗 (6W 与 23W)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的优势
发布时间晚1年3个月
更强的显卡性能
更高规格的内存(8448 与 4800)
更大的最大内存带宽 (135GB/s 与 38.4GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 与 3.0)
更大的三级缓存 (42MB 与 6MB)
更先进的制程 (4nm 与 10nm)
评分
基准测试
Cinebench R23 单核
Intel Processor N200
924
Qualcomm Snapdragon X Plus
+61%
1488
Cinebench R23 多核
Intel Processor N200
2988
Qualcomm Snapdragon X Plus
+299%
11931
Geekbench 6 单核
Intel Processor N200
1262
Qualcomm Snapdragon X Plus
+85%
2347
Geekbench 6 多核
Intel Processor N200
2701
Qualcomm Snapdragon X Plus
+380%
12973
Passmark CPU 单核
Intel Processor N200
2120
Qualcomm Snapdragon X Plus
+51%
3208
Passmark CPU 多核
Intel Processor N200
5669
Qualcomm Snapdragon X Plus
+282%
21685
Intel Processor N200
VS
Qualcomm Snapdragon X Plus
基本参数
2023年01月
发行日期
2024年04月
Intel
厂商
Qualcomm
笔记本
类型
笔记本
x86-64
指令集
ARMv9
Alder Lake
内核架构
Snapdragon X
N200
处理器编号
X1P-64-100
BGA-1264
插槽
Custom
UHD Graphics (32 EU)
核芯显卡
Qualcomm Adreno X1
-
世代
Oryon
封装
10 nm
制程
4 nm
6 W
功耗
23 W
-
最大睿频功耗
80 W
105°C
峰值工作温度
-
晶圆厂
Samsung TSMC
-
晶圆尺寸
mm²
CPU性能
-
性能核
10
-
性能核线程
10
性能核基础频率
3.4 GHz
-
性能核睿频
3.4 GHz
4
能效核
-
4
能效核线程
-
1.8 GHz
能效核基础频率
-
3.7 GHz
能效核睿频
-
4
总核心数
10
4
总线程数
10
100 MHz
总线频率
100 MHz
37x
倍频
34x
96 K per core
一级缓存
-
2 MB shared
二级缓存
-
6 MB shared
三级缓存
42 MB
否
非锁频
否
-
对称多处理
1
内存参数
DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-4800
内存类型
LPDDR5X-8448
16 GB
最大内存大小
64 GB
1
最大内存通道数
8
38.4 GB/s
最大内存带宽
135 GB/s
否
支持 ECC 内存
否
显卡参数
是
核显芯片
是
300 MHz
显卡基本频率
500 MHz
750 MHz
显卡最大动态频率
1200 MHz
256
着色器数量
1536
16
纹理单元
48
8
光栅处理单元
6
32
执行单元
6
45 W
功耗
0.74 TFLOPS
显卡性能
3.8 TFLOPS
其他
Intel Processor N200
官网链接
Qualcomm Snapdragon X Plus
3.0
PCIe版本
4.0
9
PCIe通道数
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