首頁 CPU對比 Intel Processor N200 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Processor N200 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

我們比較了兩個筆記型電腦版CPU:4核 1.8GHz Intel Processor N200 與 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您將了解兩者在基準測試、主要規格、功耗等資訊中哪個處理器具有更好的性能。

主要差異

Intel Processor N200 的優勢
更低的TDP功耗 (6W vs 23W)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的優勢
發布時間晚 1 年3 個月
更强的顯示卡效能
更高規格的記憶體 (8448 vs 4800)
更大的最大記憶體頻寬 (135GB/s vs 38.4GB/s)
更新的PCI Express 版本 (4.0 vs 3.0)
更大的三級緩存 (42MB vs 6MB)
更先進的製程 (4nm vs 10nm)

評分

基準測試

Cinebench R23 單核
Intel Processor N200
924
Qualcomm Snapdragon X Plus +61%
1488
Cinebench R23 多核
Intel Processor N200
2988
Qualcomm Snapdragon X Plus +299%
11931
Geekbench 6 單核
Intel Processor N200
1262
Qualcomm Snapdragon X Plus +85%
2347
Geekbench 6 多核
Intel Processor N200
2701
Qualcomm Snapdragon X Plus +380%
12973
Passmark CPU 單核
Intel Processor N200
2120
Qualcomm Snapdragon X Plus +51%
3208
Passmark CPU 多核
Intel Processor N200
5669
Qualcomm Snapdragon X Plus +282%
21685
VS

基本參數

2023 1月
發行日期
2024 4月
Intel
廠商
Qualcomm
筆記型電腦
類型
筆記型電腦
x86-64
指令集
ARMv9
Alder Lake
內核架構
Snapdragon X
N200
處理器編號
X1P-64-100
BGA-1264
插座
Custom
UHD Graphics (32 EU)
核心顯示卡
Qualcomm Adreno X1
-
世代
Oryon

封裝

10 nm
製程
4 nm
6 W
功耗
23 W
-
最大睿頻功耗
80 W
105°C
峰值工作溫度
-
鑄造廠
Samsung TSMC
-
晶圓尺寸
mm²

CPU效能

-
效能核心
10
-
效能核心線程
10
效能核心基礎頻率
3.4 GHz
-
效能核心睿頻
3.4 GHz
4
能效核心
-
4
能效核心線程
-
1.8 GHz
能效核心基礎頻率
-
3.7 GHz
能效核心睿頻
-
4
總核心數
10
4
總線程數
10
100 MHz
匯流排頻率
100 MHz
37x
倍頻
34x
96 K per core
一級緩存
-
2 MB shared
二級緩存
-
6 MB shared
三級緩存
42 MB
非鎖頻
-
SMP
1

記憶體參數

DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-4800
記憶體類型
LPDDR5X-8448
16 GB
最大記憶體大小
64 GB
1
最大記憶體通道數
8
38.4 GB/s
最大記憶體頻寬
135 GB/s
支援 ECC 記憶體

顯示卡參數

核心顯示晶片
300 MHz
顯示卡基本頻率
500 MHz
750 MHz
顯示卡最大動態頻率
1200 MHz
256
著色器數量
1536
16
紋理單元
48
8
光柵處理單元
6
32
執行單元
6
45 W
功耗
0.74 TFLOPS
顯示卡效能
3.8 TFLOPS

其他

3.0
PCIe版本
4.0
9
PCIe通道數

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