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Intel Processor N200 vs Qualcomm Snapdragon X Plus

私たちは2つのノートパソコン版CPU:4コア 1.8GHz Intel Processor N200 と 10コア 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus を比較しました。両方のプロセッサーのベンチマークテスト、主要な仕様、消費電力などの情報を確認できます。

主な違い

Intel Processor N200 の利点
より低いTDP消費電力 (6W vs 23W)
Qualcomm Snapdragon X Plus の利点
リリースが1年 と 3 ヶ月 遅れました
より強力なグラフィックス性能
より高いスペックのメモリー (8448 と 4800)
より高速な最大メモリ帯域幅 (135GB/s vs 38.4GB/s)
更新されたPCI Expressのバージョン (4.0 vs 3.0)
より大きいL3キャッシュ (42MB vs 6MB)
より進んだプロセス (4nm vs 10nm)

評価

ベンチマーク

Cinebench R23 シングルコア
Intel Processor N200
924
Qualcomm Snapdragon X Plus +61%
1488
Cinebench R23 マルチコア
Intel Processor N200
2988
Qualcomm Snapdragon X Plus +299%
11931
Geekbench 6 シングルコア
Intel Processor N200
1262
Qualcomm Snapdragon X Plus +85%
2347
Geekbench 6 マルチコア
Intel Processor N200
2701
Qualcomm Snapdragon X Plus +380%
12973
Passmark CPU シングルコア
Intel Processor N200
2120
Qualcomm Snapdragon X Plus +51%
3208
Passmark CPU マルチコア
Intel Processor N200
5669
Qualcomm Snapdragon X Plus +282%
21685
VS

一般パラメータ

2023 1月
リリース日
2024 4月
Intel
製造元
Qualcomm
ノートパソコン
タイプ
ノートパソコン
x86-64
命令セット
ARMv9
Alder Lake
コアアーキテクチャ
Snapdragon X
N200
プロセッサ番号
X1P-64-100
BGA-1264
ソケット
Custom
UHD Graphics (32 EU)
統合グラフィックス
Qualcomm Adreno X1
-
世代
Oryon

パッケージ

10 nm
製造プロセス
4 nm
6 W
消費電力
23 W
-
最大ターボ消費電力
80 W
105°C
最高動作温度
-
鋳造所
Samsung TSMC
-
ダイサイズ
mm²

CPUパフォーマンス

-
パフォーマンスコア
10
-
パフォーマンスコアスレッド
10
基本周波数 (P)
3.4 GHz
-
ターボブースト周波数 (P)
3.4 GHz
4
エフィシエンシーコア
-
4
エフィシエンシーコアスレッド
-
1.8 GHz
基本周波数 (E)
-
3.7 GHz
ターボブースト周波数 (E)
-
4
コア合計数
10
4
スレッド合計数
10
100 MHz
バス周波数
100 MHz
37x
乗数
34x
96 K per core
L1キャッシュ
-
2 MB shared
L2キャッシュ
-
6 MB shared
L3キャッシュ
42 MB
No
乗数解除
No
-
SMP
1

メモリパラメータ

DDR5-4800, DDR4-3200, LPDDR5-4800
メモリタイプ
LPDDR5X-8448
16 GB
最大メモリサイズ
64 GB
1
最大メモリチャネル数
8
38.4 GB/s
最大メモリ帯域幅
135 GB/s
No
ECCメモリサポート
No

グラフィックスパラメータ

true
統合グラフィックス
true
300 MHz
GPU基本周波数
500 MHz
750 MHz
GPU最大動的周波数
1200 MHz
256
シェーダーユニット
1536
16
テクスチャユニット
48
8
ラスタオペレーションユニット
6
32
実行ユニット
6
45 W
消費電力
0.74 TFLOPS
グラフィックス性能
3.8 TFLOPS

その他

3.0
PCIeバージョン
4.0
9
PCIeレーン

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