Intel Core i7 12850HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

VS

Intel Core i7 12850HX

Qualcomm Snapdragon X Plus

Hemos comparado dos CPU portátil 16 núcleos 2.1GHz Intel Core i7 12850HX con 10 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Intel Core i7 12850HX Ventajas de

Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)

Qualcomm Snapdragon X Plus Ventajas de

Lanzado 1 años y 11 meses tarde

Mejor rendimiento de tarjeta gráfica

Mayor especificación de memoria (8448 frente a 4800)

Ancho de banda de memoria mayor (135GB/s vs 76.8GB/s)

Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 2.1GHz)

Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 25MB)

Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 10nm)

Menor TDP (23W vs 55W)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único

Intel Core i7 12850HX +14%

1704

Qualcomm Snapdragon X Plus

1488

Cinebench R23 Multi Core

Intel Core i7 12850HX +36%

16286

Qualcomm Snapdragon X Plus

11931

Geekbench 6 Núcleo Individual

Intel Core i7 12850HX

2217

Qualcomm Snapdragon X Plus +5%

2347

Geekbench 6 Multi Core

Intel Core i7 12850HX

12173

Qualcomm Snapdragon X Plus +6%

12973

Blender

Intel Core i7 12850HX

246

Qualcomm Snapdragon X Plus +46%

360

Passmark CPU Núcleo único

Intel Core i7 12850HX +14%

3686

Qualcomm Snapdragon X Plus

3208

Passmark CPU Multi Core

Intel Core i7 12850HX +37%

29839

Qualcomm Snapdragon X Plus

21685

Intel Core i7 12850HX

VS

Qualcomm Snapdragon X Plus

Parámetros generales

may 2022

Fecha lanzamiento

abr 2024

Intel

Fabricante

Qualcomm

Portátil

Tipo

Portátil

x86-64

Conjunto instrucciones

ARMv9

Alder Lake-HX

Arquitectura núcleo

Snapdragon X

i7-12850HX

Núm. procesador

X1P-64-100

BGA-1744

Zócalo

Custom

No

Gráficos integrados

No

-

Generación

Oryon

Paquete

10 nm

Proceso Fabricación

4 nm

45 W

Consumo Energía

23 W

-

Máx. Consumo Turbo

80 W

100 °C

Temp. Máxima

-

Fundición

Samsung TSMC

-

Tamaño del Die

mm²

Rendimiento CPU

8

Núcleos de rendimiento

10

-

Núcleos Rendimiento

10

2.1 GHz

Frec. Base Rendimiento

3.4 GHz

4.8 GHz

Frec. Turbo Rendimiento

3.4 GHz

8

Núcleos Eficientes

-

16

Total Núcleos

10

24

Total Hilos

10

100 MHz

Frec. Bus

100 MHz

21x

Multiplicador

34x

80 K per core

Caché L1

-

1280 K per core

Caché L2

-

25 MB shared

Caché L3

42 MB

Sí

Multip. Desbloqueado

No

-

SMP

1

Parámetros memoria

DDR5-4800, DDR4-3200

Tipos de memoria

LPDDR5X-8448

128 GB

Tamaño máx. memoria

64 GB

2

Canales máx. memoria

8

76.8 GB/s

Ancho de banda máx.

135 GB/s

Sí

Soporte memoria ECC

No

Parámetros tarjeta gráfica

true

Gráficos integrados

true

300 MHz

Frecuencia base GPU

500 MHz

1450 MHz

Frecuencia máx. dinámica GPU

1200 MHz

256

Unidades shader

1536

16

Unidades de textura

48

8

Unidades ROP

6

32

Unidades de ejecución

6

45 W

Consumo de energía

0.74 TFLOPS

Rendimiento gráfico

3.8 TFLOPS

Varios

Intel Core i7 12850HX

Sitio oficial

Qualcomm Snapdragon X Plus

5.0

Versión PCIe

4.0

20

Carriles PCIe

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