首頁 CPU對比 Intel Core i7 12850HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i7 12850HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

我們比較了兩個筆記型電腦版CPU:16核 2.1GHz Intel Core i7 12850HX 與 10核 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus 。您將了解兩者在基準測試、主要規格、功耗等資訊中哪個處理器具有更好的性能。

主要差異

Intel Core i7 12850HX 的優勢
更新的PCI Express 版本 (5.0 vs 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus 的優勢
發布時間晚 1 年11 個月
更强的顯示卡效能
更高規格的記憶體 (8448 vs 4800)
更大的最大記憶體頻寬 (135GB/s vs 76.8GB/s)
更高的效能核心基礎頻率 (3.4GHz vs 2.1GHz)
更大的三級緩存 (42MB vs 25MB)
更先進的製程 (4nm vs 10nm)
更低的TDP功耗 (23W vs 55W)

評分

基準測試

Cinebench R23 單核
Intel Core i7 12850HX +14%
1704
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 多核
Intel Core i7 12850HX +36%
16286
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 單核
Intel Core i7 12850HX
2217
Qualcomm Snapdragon X Plus +5%
2347
Geekbench 6 多核
Intel Core i7 12850HX
12173
Qualcomm Snapdragon X Plus +6%
12973
Blender
Intel Core i7 12850HX
246
Qualcomm Snapdragon X Plus +46%
360
Passmark CPU 單核
Intel Core i7 12850HX +14%
3686
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU 多核
Intel Core i7 12850HX +37%
29839
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
VS

基本參數

2022 5月
發行日期
2024 4月
Intel
廠商
Qualcomm
筆記型電腦
類型
筆記型電腦
x86-64
指令集
ARMv9
Alder Lake-HX
內核架構
Snapdragon X
i7-12850HX
處理器編號
X1P-64-100
BGA-1744
插座
Custom
UHD Graphics (32EU)
核心顯示卡
Qualcomm Adreno X1
-
世代
Oryon

封裝

10 nm
製程
4 nm
45 W
功耗
23 W
-
最大睿頻功耗
80 W
100 °C
峰值工作溫度
-
鑄造廠
Samsung TSMC
-
晶圓尺寸
mm²

CPU效能

8
效能核心
10
-
效能核心線程
10
2.1 GHz
效能核心基礎頻率
3.4 GHz
4.8 GHz
效能核心睿頻
3.4 GHz
8
能效核心
-
16
總核心數
10
24
總線程數
10
100 MHz
匯流排頻率
100 MHz
21x
倍頻
34x
80 K per core
一級緩存
-
1280 K per core
二級緩存
-
25 MB shared
三級緩存
42 MB
非鎖頻
-
SMP
1

記憶體參數

DDR5-4800, DDR4-3200
記憶體類型
LPDDR5X-8448
128 GB
最大記憶體大小
64 GB
2
最大記憶體通道數
8
76.8 GB/s
最大記憶體頻寬
135 GB/s
支援 ECC 記憶體

顯示卡參數

核心顯示晶片
300 MHz
顯示卡基本頻率
500 MHz
1450 MHz
顯示卡最大動態頻率
1200 MHz
256
著色器數量
1536
16
紋理單元
48
8
光柵處理單元
6
32
執行單元
6
45 W
功耗
0.74 TFLOPS
顯示卡效能
3.8 TFLOPS

其他

5.0
PCIe版本
4.0
20
PCIe通道數

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