Inicio Comparación Intel Core i9 13900HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Intel Core i9 13900HX vs Qualcomm Snapdragon X Plus

Hemos comparado dos CPU portátil 24 núcleos 2.2GHz Intel Core i9 13900HX con 10 núcleos 3.4GHz Qualcomm Snapdragon X Plus. Aprenderá cuál de los dos procesadores tiene un mejor rendimiento en las pruebas de referencia, especificaciones principales, consumo de energía y otros aspectos.

Diferencias clave

Intel Core i9 13900HX Ventajas de
Nueva versión de PCIe (5.0 vs 4.0)
Qualcomm Snapdragon X Plus Ventajas de
Lanzado 1 años y 3 meses tarde
Mejor rendimiento de tarjeta gráfica
Mayor especificación de memoria (8448 frente a 5600)
Ancho de banda de memoria mayor (135GB/s vs 89.6GB/s)
Frecuencia base más alta (3.4GHz vs 2.2GHz)
Tamaño de caché L3 más grande (42MB vs 36MB)
Proceso de fabricación más moderno (4nm vs 10nm)
Menor TDP (23W vs 55W)

Puntuación

Punto de referencia

Cinebench R23 Núcleo único
Intel Core i9 13900HX +39%
2069
Qualcomm Snapdragon X Plus
1488
Cinebench R23 Multi Core
Intel Core i9 13900HX +147%
29473
Qualcomm Snapdragon X Plus
11931
Geekbench 6 Núcleo Individual
Intel Core i9 13900HX +20%
2826
Qualcomm Snapdragon X Plus
2347
Geekbench 6 Multi Core
Intel Core i9 13900HX +29%
16799
Qualcomm Snapdragon X Plus
12973
Cinebench 2024 Single-Core
Intel Core i9 13900HX +5%
115
Qualcomm Snapdragon X Plus
109
Cinebench 2024 Multi Core
Intel Core i9 13900HX +97%
1672
Qualcomm Snapdragon X Plus
845
Blender
Intel Core i9 13900HX +33%
482
Qualcomm Snapdragon X Plus
360
Passmark CPU Núcleo único
Intel Core i9 13900HX +29%
4154
Qualcomm Snapdragon X Plus
3208
Passmark CPU Multi Core
Intel Core i9 13900HX +105%
44610
Qualcomm Snapdragon X Plus
21685
VS

Parámetros generales

ene 2023
Fecha lanzamiento
abr 2024
Intel
Fabricante
Qualcomm
Portátil
Tipo
Portátil
x86-64
Conjunto instrucciones
ARMv9
Raptor Lake
Arquitectura núcleo
Snapdragon X
i9-13900HX
Núm. procesador
X1P-64-100
BGA-1964
Zócalo
Custom
No
Gráficos integrados
No
-
Generación
Oryon

Paquete

10 nm
Proceso Fabricación
4 nm
45 W
Consumo Energía
23 W
157 W
Máx. Consumo Turbo
80 W
100°C
Temp. Máxima
-
Fundición
Samsung TSMC
-
Tamaño del Die
mm²

Rendimiento CPU

8
Núcleos de rendimiento
10
16
Núcleos Rendimiento
10
2.2 GHz
Frec. Base Rendimiento
3.4 GHz
5.4 GHz
Frec. Turbo Rendimiento
3.4 GHz
16
Núcleos Eficientes
-
16
Hilos Eficientes
-
1.6 GHz
Frec. Base Eficiente
-
3.9 GHz
Frec. Turbo Eficiente
-
24
Total Núcleos
10
32
Total Hilos
10
100 MHz
Frec. Bus
100 MHz
22x
Multiplicador
34x
80 K per core
Caché L1
-
2 MB per core
Caché L2
-
36 MB shared
Caché L3
42 MB
Multip. Desbloqueado
No
-
SMP
1

Parámetros memoria

DDR5-5600, DDR4-3200
Tipos de memoria
LPDDR5X-8448
192 GB
Tamaño máx. memoria
64 GB
2
Canales máx. memoria
8
89.6 GB/s
Ancho de banda máx.
135 GB/s
Soporte memoria ECC
No

Parámetros tarjeta gráfica

true
Gráficos integrados
true
300 MHz
Frecuencia base GPU
500 MHz
1650 MHz
Frecuencia máx. dinámica GPU
1200 MHz
256
Unidades shader
1536
16
Unidades de textura
48
8
Unidades ROP
6
32
Unidades de ejecución
6
45 W
Consumo de energía
0.74 TFLOPS
Rendimiento gráfico
3.8 TFLOPS

Varios

5.0
Versión PCIe
4.0
20
Carriles PCIe

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